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33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal
33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal
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1.
Gigabit Photodiodes in Standard Digital nanometer CMOS Technologies
机译:
标准数字纳米CMOS技术中的千兆位光电二极管
作者:
Carolien Hermans
;
Paul Leroux
;
Michiel Steyaert
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
2.
Experimental investigation of the impact of line-edge roughness on MOSFET performance and yield
机译:
线边缘粗糙度对MOSFET性能和良率影响的实验研究
作者:
J.A. Croon
;
L.H.A. Leunissen
;
M. Jurczak
;
M. Benndorf
;
R. Rooyackers
;
K. Ronse
;
S. Decoutere
;
W. Sansen
;
H.E. Maes
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
3.
Failure of Multiple-Cell Power DMOS Transistors in Avalanche Operation
机译:
雪崩操作中的多单元功率DMOS晶体管故障
作者:
A.Icaza Deckelmann
;
G.Wachutka
;
F. Hirler
;
J.Krumrey
;
R.Henninger
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
4.
Elimination of accumulation charge effects for High-Resistive Silicon Substrates
机译:
消除高电阻硅衬底的累积电荷效应
作者:
A.B.M. Jansman
;
J.T.M. van Beek
;
M.H.W.M. van Delden
;
A.L.A.M. Kemmeren
;
A. den Dekker
;
F.P. Widdershoven
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
5.
DNA Electrical Detection Based on Inductor Resonance Frequency in Standard CMOS Technology
机译:
标准CMOS技术中基于电感谐振频率的DNA电检测
作者:
G. Laurent
;
L.M. Hagelsieb
;
D. Lederer
;
P.E. Lobert
;
D. Flandre
;
J. Remade
;
J.P. Raskin
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
6.
Drain leakage mechanisms in fully depleted SOI devices with undoped channel
机译:
具有未掺杂通道的完全耗尽SOI器件中的漏极泄漏机制
作者:
R.J. Luyken
;
M. Specht
;
W. Roesner
;
J. Hartwich
;
F. Hofmann
;
L. Dreeskornfeld
;
E. Landgraf
;
T. Schulz
;
M. Staedele
;
J. Kretz
;
L.Risch
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
7.
Determination of the Hall Voltage in Devices with Arbitrary Aspect Ratio and Probe Position
机译:
确定具有任意高宽比和探头位置的设备中的霍尔电压
作者:
M. Rudan
;
S. Reggiani
;
E. Gnani
;
G. Baccarani
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
8.
Development of viscous PR flow technology for 0.26μm contact pitch on 0.84μm~2 SRAM cell
机译:
在0.84μm〜2 SRAM单元上实现0.26μm接触节距的粘性PR流动技术的开发
作者:
B.J. Hwang
;
K.Koh
;
W.Y.Jung
;
T.K.Kim
;
K.H.Kwak
;
Y.S.Son
;
J.H.Jang
;
H.S.Kim
;
S.M Jung
;
D.Park
;
Kinam Kim
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
9.
Development of a 64kb MRAM and a study on the magnetization reversal in subμm sized magnetic tunnel junctions
机译:
亚微米级磁隧道结中64kb MRAM的开发和磁化反转的研究
作者:
Suyoun Lee
;
J.H. Park
;
H.J. Kim
;
K.H. Koh
;
G.T. Jeong
;
W.C. Jeong
;
J.H. Oh
;
I.J. Hwang
;
H.S. Jeong
;
K.N. Kim
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
关键词:
magnetic random access memory (MRAM);
process integration;
magnetization reversal;
10.
Electrical Characteristics of Single, Double Surround Gate Vertical MOSFETs with Reduced Overlap Capacitance
机译:
具有减小的重叠电容的单,双和环绕栅垂直MOSFET的电气特性
作者:
E.Gili
;
V.D.Kunz
;
C.H.de Groot
;
T.Uchino
;
D.Donaghy
;
S.Hall
;
P.Ashburn
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
11.
Electrical Characterisation of Crystalline Praseodymium Oxide High-k Gate Dielectric MOSFETs
机译:
晶体氧化Pra高k栅极介电MOSFET的电学特性
作者:
U. Schwalke
;
Y. Stefanov
;
R. Komaragiri
;
T. Ruland
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
12.
Electrical Analysis of Mechanical Stress Induced by Shallow Trench Isolation
机译:
浅沟槽隔离引起的机械应力的电分析
作者:
C. Gallon
;
G. Reimbold
;
G. Ghibaudo
;
R.A. Bianchi
;
R. Gwoziecki
;
C. Raynaud
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
13.
Effects of low-temperature water vapor annealing of strained SiGe surface-channel pMOSFETs with high-K dielectric
机译:
高K电介质应变SiGe表面沟道pMOSFET的低温水蒸气退火效应
作者:
J. Westlinder
;
G. Sjoeblom
;
D. Wu
;
P.-E. Hellstroem
;
J. Olsson
;
S.-L. Zhang
;
M. Oestling
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
14.
Analysis and Design of Driving Waveforms for ac PDP's Driven by Three Wall Charge States
机译:
三种壁电荷状态驱动交流PDP驱动波形的分析与设计
作者:
Young-Ho Jung
;
Seok-Il Kim
;
Ju Young Jeong
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
15.
Corner Effect in Double and Triple Gate FinFETs
机译:
双栅极和三栅极FinFET的转角效应
作者:
A. Burenkov
;
J. Lorenz
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
16.
Comparison between Bulk and SOI MOSFETs for sub-100nm Mixed Mode Applications
机译:
低于100nm混合模式应用的Bulk和SOI MOSFET的比较
作者:
Sushant S. Suryagandh
;
Mayank Garg
;
Jason C.S. Woo
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
17.
Coupled device, circuit and interconnect simulation
机译:
耦合设备,电路和互连仿真
作者:
Wil Schilders
;
Peter Meuris
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
18.
Degradation of the Si-SiO_2 Interface in MOSFET's with Oxides in the 1-2 Nanometer Range Under Low Field Electrical Stress
机译:
低场电应力下1-2纳米范围内氧化物对MOSFET中Si-SiO_2界面的降解
作者:
F. Rahmoune
;
D. Bauza
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
19.
Effects of gas phase absorption into Si substrates on plasma doping process
机译:
气相吸收硅衬底对等离子体掺杂工艺的影响
作者:
Ryota Higaki
;
Kazuo Tsutsui
;
Yuichiro Sasaki
;
Sadahiro Akama
;
Bunji Mizuno
;
Shunichiro Ohmi
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
20.
A Practical Method to Extract the Thermal Resistance for Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
一种提取异质结双极晶体管热阻的实用方法
作者:
Martin Pfost
;
Volker Kubrak
;
Pietro Brenner
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
21.
A Novel Fully Integrated Antenna Switch for Wireless Systems
机译:
一种用于无线系统的新型全集成天线开关
作者:
L. Fanucci
;
A. Hopper
;
B. Neri
;
D. Zito
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
22.
A NOVEL ULTRA-LOW POWER RESET/READ-OUT TECHNIQUE FOR MEGAPIXELS CURRENT-MODE CMOS IMAGERS
机译:
新型MEGAPIXEL电流模式CMOS成像器的超低功耗复位/读出技术
作者:
Farid Boussaid
;
Amine Bermak
;
Abdesselam Bouzerdoum
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
23.
A novel sensor for the direct measurement of process induced residual stress in interconnects
机译:
用于直接测量互连中过程引起的残余应力的新型传感器
作者:
A.B. Horsfall
;
J.M.M. dos Santos
;
S.M. Soare
;
N.G. Wright
;
A.G. ONeill
;
S.J. Bull
;
A.J. Walton
;
A.M. Gundlach
;
J.T.M. Stevenson
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
24.
A Floating Gate Ac Nulling (FGAN) Technique for Characterisation of Matching Properties of MOS Capacitors
机译:
浮栅交流调零(FGAN)技术用于表征MOS电容器的匹配特性
作者:
Zhenqiu Ning
;
Luc De Schepper
;
Renaud Gillon
;
Marnix Tack
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
25.
A Method for Generating Structurally Aligned High Quality Grids and its Application to the Simulation of a Trench Gate MOSFET
机译:
一种结构对齐的高质量网格的生成方法及其在沟槽栅极MOSFET仿真中的应用
作者:
Clemens Heitzinger
;
Alireza Sheikholeslami
;
Jong-Mun Park
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
26.
A multi-stack insulator silicon-organic memory device with gold nanoparticles
机译:
具有金纳米颗粒的多堆叠绝缘体硅有机存储器件
作者:
S. Kolliopoulou
;
D. Tsoukalas
;
P. Dimitrakis
;
P Normand
;
Hao-Li Zhang
;
N. Cant
;
S. D. Evans
;
S. Paul
;
C. Pearson
;
A. Molloy
;
M. C. Petty
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
27.
ALD metal-gate/high-κ gate stack for Si and Si_(0.7)Ge_(0.3) surface-channel pMOSFETs
机译:
用于Si和Si_(0.7)Ge_(0.3)表面沟道pMOSFET的ALD金属栅/高k栅堆叠
作者:
D. Wu
;
S. Persson
;
A.-C. Lindgren
;
G. Sjoeblom
;
P.-E. Hellstroem
;
J. Olsson
;
S.-L. Zhang
;
M. Oestling
;
E. Vainonen-Ahlgren
;
E. Tois
;
W.-M. Li
;
M. Tuominen
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
28.
A process and deep level evaluation tool: afterpulsing in avalanche junctions
机译:
一个过程和深层评估工具:雪崩连接处的后脉冲
作者:
A.C. Giudice
;
M. Ghioni
;
S. Cova
;
F. Zappa
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
29.
Characterization of ultra-thin SOI transistors down to the 20nm gate length regime with Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM)
机译:
利用扫描扩展电阻显微镜(SSRM)表征低至20nm栅极长度范围的超薄SOI晶体管
作者:
J. Hartwich
;
D. Alvarez
;
L. Dreeskornfeld
;
M. Specht
;
W. Vandervorst
;
L. Risch
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
30.
Carrier Quantization in SOI MOSFETs using an Effective Potential Based Monte-Carlo Tool
机译:
使用基于有效电位的蒙特卡洛工具对SOI MOSFET中的载流子进行量化
作者:
P. Palestri
;
D. Esseni
;
A. Abramo
;
R. Clerc
;
L. Selmi
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
31.
Atomic-scale Modeling of Source-to-Drain Tunneling in Ultimate Schottky Barrier Double-Gate MOSFET's
机译:
最终肖特基势垒双栅MOSFET的源极到漏极隧穿的原子尺度建模
作者:
M. Bescond
;
J.L. Autran
;
D. Munteanu
;
N. Cavassilas
;
M. Lannoo
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
32.
Coherent Interconnect/Substrate Modeling Using SPACE - An Experimental Study
机译:
使用SPACE的相干互连/基板建模-实验研究
作者:
E. Schrik
;
A.J. van Genderen
;
N.P. van der Meijs
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
33.
High Performance 50nm T-Gate In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As Metamorphic High Electron Mobility Transistors
机译:
高性能50nm T型栅极In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As变质高电子迁移率晶体管
作者:
Xin Cao
;
Iain Thayne
;
Stephen Thorns
;
Martin Holland
;
Colin Stanley
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
34.
Modeling of SiGe Power HBT Intermodulation Distortion using HICUM
机译:
使用HICUM对SiGe功率HBT互调失真进行建模
作者:
P.Sakalas
;
M.Schroeter
;
L.Kornau
;
W.Kraus
;
J.Herricht
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
35.
Trench Sidewall Doping for Lateral Power Devices
机译:
横向功率器件的沟槽侧壁掺杂
作者:
S. E. Berberich
;
A. J. Bauer
;
L. Frey
;
H. Ryssel
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
36.
Ultra-thin Oxynitride Gate Dielectrics by Pulsed-RF DPN for 65 nm General Purpose CMOS Applications
机译:
适用于65 nm通用CMOS应用的脉冲RF DPN超薄氧氮化物栅极电介质
作者:
A. Veloso
;
F. N. Cubaynes
;
A. Rothschild
;
S. Mertens
;
R. Degraeve
;
R. OConnor
;
C. Olsen
;
L. Date
;
M. Schaekers
;
C. Dachs
;
M. Jurczak
会议名称:
《》
|
2003年
37.
New junction concepts for sub-50nm CMOS transistors: slim spacers and Ni silicide
机译:
低于50nm CMOS晶体管的新型结概念:纤细的间隔物和硅化镍
作者:
M. Mueller
;
B. Froment
;
V. Carron
;
A. Beverina
;
R. Palla
;
R. Pantel
;
P. Morin
;
C. Charbuillet
;
A. Pouydebasque
;
F. Boeuf
;
T. Skotnicki
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
38.
New Fowler Nordheim current determination in EEPROM cell from transient measurements
机译:
通过瞬态测量确定EEPROM单元中Fowler Nordheim的新电流
作者:
R. Laffont
;
P.Masson
;
P.Canet
;
B. Delsuc
;
R. Bouchakour
;
J.M Mirabel
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
39.
P-Si_(0.3)Ge_(0.7)and p-Si_(0.2)Ge_(0.8) MOSFETs of enhanced performance
机译:
性能增强的P-Si_(0.3)Ge_(0.7)和p-Si_(0.2)Ge_(0.8)MOSFET
作者:
O.A. Mironov
;
M. Myronov
;
S. Durov
;
D.R. Leadley
;
T. Hackbarth
;
G. Hoeck
;
H.-J. Herzog
;
U. Koenig
;
H. von Kaenel
;
E.H.C. Parker
;
T.E. Whall
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
40.
Integration and Optimisation of a high performance RF Lateral DMOS in an advanced BiCMOS Technology
机译:
高性能BiCMOS技术中的高性能RF横向DMOS的集成和优化
作者:
B.Szelag
;
H. Baudry
;
D. Muller
;
A. Giry
;
D. Lenoble
;
B. Reynard
;
D. Pache
;
A. Monroy
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
41.
Transistors in Mesh Array for Power Management Applications
机译:
用于电源管理应用的网状阵列晶体管
作者:
A. P. Casimiro
;
P. M. Santos
;
J. N. Xu
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
42.
Velocity distribution of electrons along the channel of nanoscale MOS transistors
机译:
电子沿着纳米MOS晶体管沟道的速度分布
作者:
M. Mouis
;
S. Barraud
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
43.
Borderless nitride requirements for embedded non-volatile deep sub-micron technologies
机译:
嵌入式非易失性深亚微米技术的无边界氮化物要求
作者:
A.Cacciato
;
A. Scarpa
;
M. Diekema
;
G. van de Ven
;
L. van Marwijk
;
Do Dormam
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
44.
Simulation of Thermal Oxidation: A Three-Dimensional Finite Element Approach
机译:
热氧化模拟:三维有限元方法
作者:
Christian Hollauer
;
Hajdin Ceric
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
45.
Simulation of Carrier Transport in Carbon Nanotube Field Effect Transistors
机译:
碳纳米管场效应晶体管中载流子传输的仿真
作者:
Enzo Ungersboeck
;
Andreas Gehring
;
Hans Kosina
;
Siegfried Selberherr
;
Byoung-Ho Cheong
;
Won Bong Choi
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
46.
Snapback circuit model for cascoded NMOS ESD over-voltage protection structures
机译:
级联NMOS ESD过压保护结构的骤回电路模型
作者:
V.Vassilev
;
M.Lorenzini
;
Ph.Jansen
;
V.Vashchenko
;
J.-J.Yang
;
A.Concannon
;
D.Archer
;
G.Groeseneken
;
M.I.Natarajan
;
M.Terbeek
;
S.Thijs
;
B.-J. Choi
;
M.Steyaert
;
H.E.Maes
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
47.
SiGe Channel p-MOSFETs Scaling-Down
机译:
SiGe沟道p-MOSFET缩小
作者:
F. Andrieu
;
T. Ernst
;
K. Romanjek
;
O. Weber
;
C. Renard
;
J. -M. Hartmann
;
A. Toffoli
;
A. -M. Papon
;
R. Truche
;
P. Holliger
;
L. Brevard
;
G. Ghibaudo
;
S. Deleonibus
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
48.
SETMOS-A High Current Coulomb Blockade Oscillation Device
机译:
SETMOS-A大电流库仑阻塞振荡装置
作者:
Santanu Mahapatra
;
Vincent Pott
;
Adrian Mihai Ionescu
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
49.
Separation of Random Telegraph Signals from 1/f Noise in MOSFETs under Constant and Switched Bias Conditions
机译:
在恒定和开关偏置条件下,将MOSFET的1 / f噪声中的随机电报信号分离出来
作者:
J.S. Kolhatkar
;
L.K.J. Vandamme
;
C. Salm
;
H. Wallinga
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
50.
Self-Heating Characterization and Extraction Method for Thermal Resistance and Capacitance in High Voltage MOSFETs
机译:
高压MOSFET热阻和电容的自加热特性和提取方法
作者:
C. Anghel
;
A.M. Ionescu
;
N. Hefyene
;
R. Gillon
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
51.
Self-aligned 0.12μm T-gate In_(.53)Ga_(.47)As/In_(.52)Al_(.48)As HEMT technology utilising a non-annealed ohmic contact strategy
机译:
采用非退火欧姆接触策略的自对准0.12μmT型栅极In _(。53)Ga _(。47)As / In _(。52)Al _(。48)As HEMT技术
作者:
D. A.J. Moran
;
K. Kalna
;
E. Boyd
;
F. McEwan
;
H. McLelland
;
L. L. Zhuang
;
C.R.Stanley
;
A. Asenov
;
I. Thayne
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
52.
Thin L-shaped spacers for CMOS devices
机译:
用于CMOS器件的薄L形隔离物
作者:
E. Augendre
;
R. Rooyackers
;
M. de Potter de ten Broeck
;
E. Kunnen
;
S. Beckx
;
G. Mannaert
;
C. Vrancken
;
V. Vassilev
;
T. Chiarella
;
M. Jurczak
;
I. Debusschere
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
53.
The Impact of Channel Engineering on the Performance Reliability and Scaling of CHISEL NOR Flash EEPROMs
机译:
通道工程对CHISEL NOR Flash EEPROM的性能可靠性和扩展性的影响
作者:
Nihar R. Mohapatra
;
Deleep R. Nair
;
S. Mahapatra
;
V. Ramgopal Rao
;
S. Shukuri
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
54.
The effect of copper design rules on inductor performance
机译:
铜设计规则对电感器性能的影响
作者:
C. Detcheverry
;
W. van Noort
;
R. Hoofman
;
L. Tiemeijer
;
V. H. Nguyen
;
G. Verheyden
;
P. Bancken
;
R. Daamen
;
R. Havens
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
55.
Temperature Operation of FDSOI Devices with Metal Gate (TaSiN) and High-k Dielectric
机译:
具有金属栅极(TaSiN)和高k电介质的FDSOI器件的温度操作
作者:
J. Pretet
;
A. Vandooren
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
56.
MC Simulation of Strained Si/SiGe Devices
机译:
应变Si / SiGe器件的MC仿真
作者:
C. Jungemann
;
B. Meinerzhagen
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
57.
Measurements, Modelling and Electrical Simulations of Lateral PIN Photodiodes in Thin Film-SOI for High Quantum Efficiency and High Selectivity in the UV range
机译:
薄膜SOI中PIN光电二极管横向PIN的测量,建模和电学模拟,可在紫外范围内实现高量子效率和高选择性
作者:
A. Afzalian
;
D. Flandre
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
58.
Optimisation of metal connections in Lateral DMOS transistors for driving applications
机译:
优化用于驱动应用的横向DMOS晶体管中的金属连接
作者:
P. Gassot
;
B. Desoete
;
R. Gillon
;
D. Bolognesi
;
M. Tack
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
59.
One Time Programming (OTP) with Zener Diodes in CMOS Processes
机译:
CMOS工艺中使用齐纳二极管的一次性编程(OTP)
作者:
J.Teichmann
;
K.Burger
;
W.Hasche
;
J.Herrfurth
;
G.Taeschner
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
60.
Retention time of novel charge trapping memories using Al_2O_3 dielectrics
机译:
使用Al_2O_3电介质的新型电荷陷阱存储器的保留时间
作者:
M. Specht
;
H. Reisinger
;
M. Staedele
;
F. Hofmann
;
A. Gschwandtner
;
E. Landgraf
;
R.J.Luyken
;
T.Schulz
;
J.Hartwich
;
L.Dreeskornfeld
;
W.Roesner
;
J.Kretz
;
L.Risch
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
61.
Overview of Luminescence from MOS Tunnel Devices
机译:
MOS隧道器件的发光概述
作者:
N. Asli
;
A. F. Shulekin
;
P. D. Yoder
;
M. I. Vexler
;
I. V. Grekhov
;
P. Seegebrecht
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
62.
Realization of High-Efficiency 10 GHz Bandwidth Silicon Photodetector Arrays for Fully Integrated Optical Data Communication Interfaces
机译:
用于完全集成的光学数据通信接口的高效10 GHz带宽硅光电探测器阵列的实现
作者:
M.K. Emsley
;
O. Dosunmu
;
M.S. Uenlue
;
P. Muller
;
Y. Leblebici
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
63.
Polymer Light-Emitting Diodes Based on a Soluble Poly(p-phenylene vinylene) with Interfaces Modified by Self-Assembly
机译:
基于自组装改性界面的可溶性聚对亚苯基亚乙烯基的聚合物发光二极管
作者:
Jorge Morgado
;
Ana Charas
;
Nunzio Barbagallo
;
Luis Alcacer
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
64.
Improved Vt and Ioff Characteristics of NMOS Transistors Featuring Ultra-Shallow Junctions Obtained by Plasma Doping (PLAD)
机译:
改善了通过等离子体掺杂(PLAD)获得的具有超浅结的NMOS晶体管的Vt和Ioff特性
作者:
A. Pouydebasque
;
M. Mueller
;
F. Boeuf
;
D. Lenoble
;
F. Lallement
;
A. Grouillet
;
A. Halimaoui
;
R. El Farhane
;
D. Delille
;
T. Skotnicki
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
65.
Impact of gate current noise on drain current noise in 90 nm CMOS technology
机译:
90 nm CMOS技术中栅极电流噪声对漏极电流噪声的影响
作者:
M. Valenza
;
A. Laigle
;
F. Martinez
;
A. Hoffmann
;
D. Rigaud
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
66.
Mobility Degradation in High-K Transistors: The Role of the Charge Scattering
机译:
高K晶体管的迁移率下降:电荷散射的作用
作者:
G.S. Lujan
;
S. Kubicek
;
S. De Gendt
;
M. Heyns
;
W. Magnus
;
K. De Meyer
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
67.
Multi-Bias Dependence of Threshold Voltage, Subthreshold Swing, and Mobility in G~4-FETs
机译:
G〜4-FET的阈值电压,亚阈值摆幅和迁移率的多偏置依赖性
作者:
K. Akarvardar
;
B. Dufrene
;
S. Cristoloveanu
;
B. J. Blalock
;
T. Higashino
;
M. M. Mojarradi
;
E. Kolawa
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
68.
Investigation of Poly-Si/HfO_2 gate stacks in a self-aligned 70nm MOS process flow
机译:
自对准70nm MOS工艺流程中的多晶硅/ HfO_2栅叠层研究
作者:
S. Kubicek
;
J.Chen
;
L-A. Ragnarsson
;
R.J. Carter
;
V. Kaushik
;
G.S. Lujan
;
E. Cartier
;
W.K. Henson
;
A. Kerber
;
L. Pantisano
;
S. Beckx
;
P. Jaenen
;
W.Boullart
;
M.Caymax
;
S. DeGendt
;
M. Heyns
;
K. De Meyer
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
69.
Influence of gate width on 50 nm gate length Si_(0.7)Ge_(0.3) channel PMOSFETs
机译:
栅极宽度对50 nm栅极长度Si_(0.7)Ge_(0.3)沟道PMOSFET的影响
作者:
M. von Haartman
;
A.-C. Lindgren
;
P.-E. Hellstroem
;
M. Oestling
;
T. Ernst
;
L. Brevard
;
S. Deleonibus
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
70.
High-speed lateral polysilicon photodiode in standard CMOS technology
机译:
采用标准CMOS技术的高速横向多晶硅光电二极管
作者:
S. Radovanovic
;
A.J. Annema
;
B. Nauta
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
71.
Investigation of electron and hole mobilities in MOSFETs with TiN/HfO2/SiO2 gate stack
机译:
具有TiN / HfO2 / SiO2栅堆叠的MOSFET中电子和空穴迁移率的研究
作者:
F. Lime
;
G. Ghibaudo
;
B. Guillaumot
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
72.
Integrating 'atomistic', intrinsic parameter fluctuations into compact model circuit analysis
机译:
将“原子”内在参数波动整合到紧凑模型电路分析中
作者:
B. J. Cheng
;
S. Roy
;
G. Roy
;
A. Asenov
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
73.
Interface coupling and film thickness measurement on thin oxide thin film folly depleted SOI MOSFETs
机译:
薄氧化物薄膜贫乏SOI MOSFET的界面耦合和膜厚测量
作者:
M. Casse
;
T.Poiroux
;
O. Faynot
;
C. Raynaud
;
C. Tabone
;
F. Allain
;
G. Reimbold
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
74.
Backgating, high-current and breakdown characterisation of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates
机译:
硅衬底上的AlGaN / GaN HEMT的背照,大电流和击穿特性
作者:
J. Kuzmik
;
M Blaho
;
D. Pogany
;
E. Gomik
;
A. Alam
;
Y. Dikme
;
M. Heuken
;
P. Javorka
;
M. Marso
;
P. Kordos
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
75.
Compact modeling of nanoscale MOSFETs in the ballistic limit
机译:
在弹道极限内对纳米级MOSFET进行紧凑建模
作者:
D. Jimenez
;
J. J. Saenz
;
B. Iniguez
;
J. Sune
;
L. F. Marsal
;
J. Pallares
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
76.
On the investigation of spiral inductors processed on Si substrates with thick porous Si layers
机译:
在厚多孔硅层的硅衬底上处理螺旋电感器的研究
作者:
A.S.Royet
;
R.Cuchet
;
D.Pellissier
;
P.Ancey
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
77.
Modelling of the Programming Window Distribution in Multi Nanocrystals Memories
机译:
多纳米晶体存储器中编程窗口分布的建模
作者:
L.Perniola
;
B.De Salvo
;
G.Ghibaudo
;
G.Pananakakis
;
Foglio Para
;
V.Vidal
;
T.Baron
;
S.Lombardo
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
78.
Modelling and Simulating the Selective Epitaxial Growth of Silicon under Consideration of Anisotropic Growth Rates
机译:
考虑各向异性生长速率的硅选择性外延生长的建模与仿真
作者:
Rainer G. Spallek
;
Dietmar Temmler
;
Thomas Preusser
;
Torsten Roensch
;
Stefan Ulbrich
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
79.
Subthreshold Characteristics of p-type Triple-Gate MOSFETs
机译:
p型三栅极MOSFET的亚阈值特性
作者:
M. Lemme
;
T. Mollenhauer
;
W. Henschel
;
T. Wahlbrink
;
H. Gottlob
;
J. Efavi
;
M. Baus
;
O. Winkler
;
B. Spangenberg
;
H. Kurz
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
80.
Monolithic Active Pixel Sensor for Dosimetry Application
机译:
剂量学应用的单片有源像素传感器
作者:
F.Cannillo
;
G. Deptuch
;
W. Dulinski
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
81.
Vertical p-channel Double-Gate MOSFETs
机译:
垂直p通道双栅极MOSFET
作者:
J. Moers
;
St. Trellenkamp
;
A. v. d. Hart
;
M. Goryll
;
S. Mantl
;
P. Kordos
;
H. Lueth
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
82.
Silicon clean impact on 90nm CMOS devices performance
机译:
硅清洁对90nm CMOS器件性能的影响
作者:
J-P. Carrere
;
H. Bernard
;
S. Petitdidier
;
A. Beverina
;
J. Rosa
;
F. Guyader
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
83.
Silicon Carbide Accumulation-Mode Laterally Diffused MOSFET
机译:
碳化硅累积模式横向扩散MOSFET
作者:
Tesfaye Ayalew
;
Jong-Mun Park
;
Andreas Gehring
;
Tibor Grasser
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
84.
Selective SiGeC Epitaxy by RTCVD for High Performance Self-Aligned HBT
机译:
RTCVD选择性SiGeC外延用于高性能自对准HBT
作者:
C. Fellous
;
F. Deleglise
;
A. Talbot
;
D. Dutartre
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
85.
Thermal Instability in Two-Finger Bipolar Transistors
机译:
两指双极晶体管的热不稳定性
作者:
N. Nenadovic
;
V. dAlessandro
;
F. Tamigi
;
A. Rossi
;
A. Griffo
;
L. K. Nanver
;
J. W. Slotboom
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
86.
Scaling Impact on Analog Performance of Sub-100nm MOS-FETs for Mixed Mode Applications
机译:
缩放比例对混合模式应用中100nm以下MOS-FET的模拟性能的影响
作者:
Mayank Garg
;
Sushant S. Suryagandh
;
Jason C.S. Woo
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
87.
Towards a better EOT - Mobility trade-off in High-K oxide / Metal Gate CMOS devices
机译:
迈向更好的EOT-高K氧化物/金属栅CMOS器件的迁移率权衡
作者:
M. Mueller
;
S. Duguay
;
B. Guillaumot
;
X. Garros
;
C. Leroux
;
B. Tavel
;
F. Martin
;
M. Rivoire
;
D. Delille
;
F. Boeuf
;
S. Deleonibus
;
T. Skotnicki
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
88.
Towards an Understanding of Electrically Active Carbon Interstitial Defects in Si_(1-y)C_y Buried Channel n-MOSFETs
机译:
理解Si_(1-y)C_y埋沟道N-MOSFET中的电活性碳间隙缺陷
作者:
O. Weber
;
F. Ducroquet
;
L. Militaru
;
T. Ernst
;
J-M. Hartmann
;
J-B. Bouche
;
D. Laffond
;
L. Brevard
;
P. Holliger
;
S. Deleonibus
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
89.
Ti-Si-Ge Formation on the Extrinsic Base of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
SiGe异质结双极晶体管本征基极上的Ti-Si-Ge形成
作者:
Seung-Yun Lee
;
Chan Woo Park
;
Hong-Seung Kim
;
Jin-Yoeng Kang
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
90.
Technology aspects of a CMOS Neuro-Sensor: Back End Process and Packaging
机译:
CMOS神经传感器的技术方面:后端工艺和封装
作者:
Franz Hofmann
;
Bjoern Eversmann
;
Martin Jenkner
;
Alexander Frey
;
Matthias Merz
;
Tamara Birkenmaier
;
Peter Fromherz
;
Matthias Schreiter
;
Reinhard Gabl
;
Kurt Plehnert
;
Michael Steinhauser
;
Gerald Eckstein
;
Roland Thewes
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
91.
The Influence of Parasitic Resistances on the f_T-Optimisation of High-Speed SiGe-HBTs
机译:
寄生电阻对高速SiGe-HBT的f_T优化的影响
作者:
P. Agarwal
;
H.G.A. Huizing
;
P.H.C. Magnee
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
92.
Wafer-Level Packaging Technology for Extended Global Wiring and Inductors
机译:
晶圆级封装技术,用于扩展的全局布线和电感器
作者:
G. Carchon
;
L. Carbonell
;
S. Jenei
;
M. Van Hove
;
S. Decoutere
;
W. De Raedt
;
K. Maex
;
E. Beyne
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
93.
Parasitic Capacitance Modeling for TFT Liquid Crystal Displays
机译:
TFT液晶显示器的寄生电容建模
作者:
Yoshihiro UCHIDA
;
Sadahiro TANI
;
Shuji TSUKIYAMA
;
Isao SHIRAKAWA
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
94.
On the occurrence of few-electrons phenomena in ultra-scaled Silicon nano-crystals memories
机译:
关于超尺度硅纳米晶体存储器中少数电子现象的发生
作者:
G. Molas
;
B. De Salvo
;
G. Ghibaudo
;
G. Iannaccone
;
D. Mariolle
;
A. Toffoli
;
N. Buffet
;
S. Lombardo
;
S. Deleonibus
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
95.
Nonvolatile nanocrystal floating gate memory with -NON tunnel barrier
机译:
具有-NON隧道势垒的非易失性纳米晶体浮栅存储器
作者:
Seung Jae Baik
;
Siyoung Choi
;
U-In Chung
;
Joo Tae Moon
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
96.
Nickel vs. Cobalt Silicide integration for sub-50nm CMOS
机译:
低于50nm CMOS的镍与钴硅化物集成
作者:
B. Froment
;
M. Muller
;
H.Brut
;
R. Pantel
;
V. Carron
;
H. Achard
;
A. Halimaoui
;
F.Boeuf
;
F.Wacquant
;
C.Regnier
;
D.Ceccarelli
;
R. Palla
;
A. Beverina
;
V. DeJonghe
;
P. Spinelli
;
O. Leborgne
;
K. Bard
;
S. Lis
;
V. Tirard
;
P.Morin
;
F. Trentesaux
;
V. Gravey
;
T. Ma
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
|
2003年
97.
Optimization of Electrothermal Material Parameters using Inverse Modeling
机译:
使用逆模型优化电热材料参数
作者:
Rainer Minixhofer
;
Stefan Holzer
;
Clemens Heitzinger
;
Johannes Fellner
;
Tibor Grasser
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
98.
Optimisation of Channel Thickness in Strained Si/SiGe MOSFETs
机译:
应变Si / SiGe MOSFET的沟道厚度优化
作者:
K. S. K. Kwa
;
S. Chattopadhyay
;
S. H. Olsen
;
L. S. Driscoll
;
A. G. ONeill
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
99.
Resonant Tunneling Devices on Si(111) Substrates Using Fluoride Alloy Heterostructures
机译:
氟化合金异质结构在Si(111)衬底上的共振隧穿器件
作者:
Motoki MAEDA
;
So WATANABE
;
Kazuo TSUTSUI
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
100.
Reduced 1/f noise at 293K in 0.55 μm p-Si_(0.3)Ge_(0.7)hetero-MOSFETs
机译:
在0.55μmp-Si_(0.3)Ge_(0.7)异质MOSFET中以293K降低了1 / f噪声
作者:
M. Myronov
;
S. Durov
;
O.A. Mironov
;
D.R. Leadley
;
T. Hackbarth
;
G. Hoeck
;
H.-J. Herzog
;
U. Koenig
;
E.H.C. Parker
会议名称:
《33rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2003); Sep 16-18, 2003; Estoril, Portugal》
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2003年
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