机译:新型具有沟槽氧化物的SOI横向功率器件
Institute for Microelectronics, TU Vienna, Gusshausstrasse 27-29, Vienna A-1040, Austria;
机译:用于功率集成电路的SOI上的横向沟槽氧化物肖特基整流器
机译:具有沟槽掩埋氧化物层的SOI衬底上的横向功率二极管的损耗降低
机译:带条纹沟槽电极的SOI RESURF横向器件的概念
机译:具有绝缘沟槽势垒的低损耗SOI横向沟槽IGBT和超结器件
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:适用于可印刷自供电光电化学装置的天然表面氧化物精选液态金属
机译:具有卓越电气特性的横向沟槽电极功率MOSFET,用于智能电力IC系统
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长