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Yang Yinglin; 杨颖琳; Hu Cheng; 胡成; Zhu Lun; 朱伦; Xu Peng; 许鹏; Zhu Zhiwei; 朱志炜; Zhang Wei; 张卫; Wu Dongping; 吴东平;
中国半导体行业协会;
金属氧化物半导体器件; 异质栅结构; 性能评价; 模拟分析;
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
机译:使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET,其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗
机译:用于22nm技术节点的N和P掺杂双栅MOSFET的全带和原子模拟
机译:具有氮化钽栅电极的氮氧化ha MOSFET的材料和器件特性的研究
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:用于22nm技术节点的n掺杂和p掺杂双栅极MOSFET的全频带和原子模拟
机译:异质结栅Gaas场效应晶体管研究的继续
机译:具有高功函数金属栅电极的III-V族化合物半导体异质结构MOSFET及其制造工艺
机译:具有长沟道沟槽栅型功率MOSFET的零沟槽栅型功率MOSFET具有
机译:MOSFET例如轻掺杂漏极MOSFET,例如存储电路,涉及在栅电极和沟道区域之间施加击穿电压以穿透栅介电材料
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