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机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
FD-SOI; Low-field mobility; Low-temperature; NCE; n-MOSFET; SCE; Strain; Subthreshold swing; TiN/Hf0_2 gate stack; Threshold voltage;
机译:具有TiN / Hf0_2栅叠层的32纳米技术节点的全耗尽超应变SOI n-MOSFET的低温电气特性
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