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栅区位错点缺陷对槽栅Al2O3/GaN MOSFETs阈值

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MOS栅极区域缺陷态导致的GaN基MOSFET功率开关器件阈值电压不稳定的问题,是器件实用化面临的关键瓶颈,是目前业界主攻的科技难点.针对这一问题,本论文采用选区外延(SAG)技术制备常关型MOSFET器件,研究了MOS栅区表面位错点缺陷对器件阈值电压、输出电流以及阈值电压稳定性的影响.研究结果表明栅区位错点缺陷严重劣化了器件性能.

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来源
《第二届全国宽禁带半导体学术会议》||350-351|共2页
会议地点西宁
作者
何亮; 张佳琳; 李柳暗; 刘扬;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管; 氧化铝; 氮化镓; 选区外延; 栅极区; 位错点缺陷; 阈值电压稳定性;

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