硅表面自组织量子点形成机制的第一原理研究

摘要

用第一原理法对Ge／Si(113)表面的重构、表面能和表面应力及其随Ge沉积层数的变化情况进行了计算，分析了Ge／Si(001)自组织量子点DOME形成机制和稳定性。发现构成DOME的Ge／Si(113)表面在压应变条件下是能量非常低的稳定表面。Ge原子在Si(001)表面上自组织生长量子点时，首先形成HUT岛;当生长到相当于约4个(001)层厚时，Ge／Si(113)表面表现为(2×2)-TPI&R重构，并开始形成稳定的DOME岛。