硅(100)表面组装膜的第一性原理研究

摘要

应用基于密度泛函理论的第一原理计算研究硅(100)表面芳香烃重氮盐自组装单层膜的键长、键角和能量的改变.通过模拟计算,可以确定自组装膜的稳定结构和结合能.计算结果显示,单晶硅表面在自组装前后部分键长和键角发生了明显的改变.整个自组装系统减少的能量是-101.95eV,该能量是形成Si-C共价键释放出的结合能,说明芳香烃重氮盐和单晶硅(100)表面很容易形成自组装单层膜.自组装后的系统稳定性很好,证明硅表面的单层膜结合的很牢固.