University of Illinois at Urbana-Champaign.;
机译:Si(001):P气源分子束外延过程中的磷掺入:对生长动力学和表面形态的影响
机译:气源分子束外延在碳化硅上生长表面光滑的高取向(0001)取向氮化铝薄膜
机译:固源分子束外延在InP(001)同质外延生长过程中掺入磷
机译:通过气源分子束外延产生自组装量子点,量子环和横向双量子点分子的生长
机译:硅锗(001):硼气体源分子束外延期间H介导的膜生长和掺杂剂结合动力学。
机译:通过分子束外延在非晶SiO2表面上生长的CuInSe2量子点
机译:Si(001)表面超高真空分子束外延生长的Ge量子点阵列:成核,形态和CMOS兼容性
机译:衬底取向对金属有机气相外延生长Gasb生长速率,表面形貌和硅掺入的影响