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郝秋艳; 刘彩池; 张建强; 张建峰;
中国电子学会;
大直径直拉硅单晶; 空洞型微缺陷; 空位; 快速热处理;
机译:用直拉法分析硅单晶生长过程中点缺陷和腔缺陷形成能的第一性原理(掺杂类型和浓度依赖性)
机译:直拉法生长硅单晶的微缺陷尺寸
机译:重新探讨熔体中无缺陷硅单晶生长的v / G准则:对大直径晶体的影响
机译:缺陷增长分布的数值分析确定直拉硅单晶中的环-OSF位置
机译:Czochralski种植铈和钙共掺杂钇铝石榴石,铈和锂共掺杂钇铝石榴石的原子缺陷,掺杂锂铝酸盐
机译:Li2Ti6O13中的缺陷扩散和掺杂:原子模拟研究
机译:点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响
机译:III型氮化物中p型掺杂和相关缺陷的系统研究:氮化物HBT的途径。
机译:N型层三明治形成-通过掺杂2价原子在6价原子掺杂的III-vV半导体中形成界面
机译:用于硅半导体的低氧浓缩硅单晶的制造涉及通过水平磁场型直拉法对原料硅进行硅单晶拉伸
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