computer simulation; nucleation; point defects; volume defect; semiconducting silicon;
机译:轴向温度梯度对切克劳斯基硅晶体中缺陷长大区形成的影响;环形OSF内部和外部之间的缺陷区域反转
机译:直拉硅晶体生长过程中瞬态点缺陷行为的数值分析
机译:氩气流量对直拉硅单晶生长中氧浓度的影响和数值分析
机译:硅CZOCHRALSKI晶体生长中二维成长缺陷动态的数值模拟
机译:Czochralski单晶硅中D缺陷的性质。
机译:Czochralski-Grown Nd:LGSB单晶的高效1 µm激光发射
机译:生长点缺陷对Czochralski生长的硅晶片中少数载流子寿命的影响