チョクラルスキー法によるSi単結晶育成中の点欠陥と空洞欠陥の形成エネルギに関する第一原理解析（ドーパント型および濃度依存性）

摘要

金属や半導体など様々な結晶材料において，点欠陥すなわち原子空孔と自己格子間原子は最も基本的な構造を有する欠陥である．点欠陥は直接，間接的に材料の強度に影響したり，不純物原子の拡散を促進するなど材料の諸性質に著しい影響を与える．そのため，様々な結晶材料について実験と計算の両面から点欠陥に関する研究が行われている．Si単結晶は点欠陥のシンクとなる結晶粒界や転位を含まないため，点欠陥の研究対象として最も素性の良い材料である．