MOS电容的热载流子损伤效应

摘要

该文对N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入(SHE)，并且高频C-V及准静态C-V分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了MOS结构热载子损伤的特性、机理、为今后抗热载子损伤的加固技术研究提供了基础。