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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

召开年：1999
召开地：扬州
出版时间： 1999-05

主办单位：;中国电子学会;;中国核学会;;

会议文集：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集

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1.CMOS器件X射线与γ射线辐照效应异同性
- 何承发;吾勤之;巴维真;陈朝阳
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文简述了研究CMOS器件器件在低能X射线和<'60>Coγ射线辐照下阈值电压漂称漂移的异同性。介绍了低能X射线、γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。结果表明在P管截止这种最劣辐照偏置下，X射线产生的阈电压漂移比<'60>Coγ射线大9倍。
2.几种集成电路和专用电路辐照效应
- 关颖;韩福斌;林东生;肖志刚;叶锡生
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了DPF——200脉冲X射线源产生的强脉冲软X射线对几种集成电路和专用电路进行的辐照效应实验。
3.A/D转换器总剂量效应试验研究
- 曹洲;颜则东;敬辉;邵航
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了CMOS模数混合电路的总剂量效应研究，以逐次逼逝型转换器ADC0809为试验样品，辐照源为Co-60γ射线源。通过试验研究，获得了ADC0809总剂量损伤阈值和ADC0809参考电压、输入－输出特性随总剂量、剂量率变化曲线。分析了逐次逼近型模数转换器的电离辐射损伤机制，给出了ADC0809器件总剂量失效模式，第一，电离辐射使器件内部模拟单元发生变化，在比较器输入端引入噪音，使运算放大器失调增加，共模电压范围变窄，共模抑制比下降。第二，辐射引起器件内部数字功能电路中MOSFET阈值电压漂移，导致整个器件功能失效。
4.1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应
- 林理彬;王浙辉;祖小涛
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：1.3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统中。为了扩大其应用至核环境和外层空间，该文对mInGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为0.4-1.8MeV范围内，注量小于2×10<'16>im<'-2>条件下进行辐照，对mInGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。辐照注量达1×10<'16>m<'-2>时，激光器的输出功率呈数理级下降，而镀以Y<,2>O<,3>-ZrO<,4>膜的半导体激光器的抗辐照性能得到提高。
5.中子和质子的单粒子效应等效性实验研究
- 杨海亮;李国政;姜景和;贺朝会;耿斌
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：利用新研制的长线实时监测系统，选取了三个厂家的64K位至4M位的SRAM器件，进行了质子和中子单粒子效应等效性辐照的实验研究，确定了14MeV中子和三种能量(30、26、22MeV)质子引起的单粒子翻转截面的等效关系，其结果与Monte-Carlo理论计算数据基本一致。
6.中子辐射下双极IC不同工作电流时放大性能变化的计算机模拟研究方法
- 肖鹏;黄燕;夏培邦
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：众所周知，晶体管中子损伤常数随发射极电流密度的变化而变化。而双极IC中的每只晶体管受中子辐射是电流的大小一般而言涌事先估计，从而使得中子损伤常数也是一未知数。如果能找出一种方法，由辐射下的瞬时电流即地计算出相应的损伤常数，则晶体管的β降低就可即时计算出来，由此出发预知整个IC的性能变化。该文将从单个晶体管不同工作电流下中子辐射时损伤常数的预估着手，推出一套适用于计算机模拟数学模型、实验方法。
7.中子脉冲作用下双极器件的损坏及计算机模拟研究
- 黄燕;夏培邦;肖鹏
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：快中子脉冲辐射将在双极器件中导入Frandel缺陷，这严重地降低了双极IC的性能，但这些缺陷的一部分能很快自动消除，从而又使器件性能部分恢复，这主要表现为器件的β陡然降低，然后再呈指数形缓慢回升，最后达到一稳定降低点。这个过程常用一退火因子AF(t)描述。该文将从缺陷产生及退火机理出发推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)及电荷浓度变化的数学模型。并提出用该模型进行计算机模拟的方法。同时呈现器件中子脉冲作用下退火规律研究的实验方法。
8.双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤
- 陈盘训
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文综合介绍了双极线性集成电路在低剂量辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上复盖了厚氧化物，低剂理率电离辐射在氧化物内产生电荷的传输时间有时要达到数百秒，氧化物内存在的过量电荷使器件产生增强损伤。
9.衰减法测量静电加速器电子束能量
- 吾勤之;何承发;王倩
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：研制了薄膜平行板透射电离室，研究了透射电离室的特性。透射电离室测量静电加速器电子束在铝中的透射分布，得到不同高压下电子束在铝中的外推射程，进而确定电子束能量。
10.新型硅吸收剂量量热计的应用
- 安金霞;巴维真;何承发;吾勤之
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：叙述了一种新型硅吸收剂量量热计的结构、电加热校准情况及其测量原理，给出了用该量热计标定该所<'60>Coγ辐照室中剂量率及升降源过程辐射剂量对距离分布情况。说明升降源过程辐射剂量尤其在短时间、近距离、小剂量等辐照情况下不可忽视。
11.星载微机空间电磁干扰防护设计技术研究
- 周彦平;杨生胜;顾克伟;张英
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了空间电磁干扰的来源，其对星载微机电路的影响及危害，并针对这些危害分别阐述了进行了防护的设计技术。
12.源区电磁脉冲环境与源区电磁脉冲模拟器
- 周启明
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文探讨了源区电磁脉冲概念，概述了源区电磁脉冲环境和高空电磁脉冲环境的特点，提出了SRCMP模拟器的主要技术指标。通过对美国SREMP模拟器的调研和分析，提出了中国SREMP模拟器研制设想，并对一些工程和技术问题进行了探讨。
13.超宽带短脉冲辐射场对电路的损伤效应
- 谢泽元;景涛;王自元
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文简要介绍超宽带短脉冲EMP(UWB/SP-EMP)试验系统和UWB/SP-EMP对电路的损伤效应试验方法，给出了最近在UWB/SP-EMP场下，对单元电路、集成运算放大器电路的瞬态扰动规律，电路的饱和时间随场强的变化规律，双极晶体管玫数字集成电路的永久损伤阈值场强。
14.γ与EMP综合辐射与单项辐射对电子元器件损伤效应异同性研究
- 赵兴超;周启明
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了γ与EMP辐射及γ与IEMP辐射两种试验方法，研究了γ与EMP综合辐射与单项辐射对电子元器件损伤效应的异同性，并给出了初步试验结果。在国内没有γ与EMP综合辐射源的情况下，用该文介绍的试验方法可以得到较好的结果。
- 电子元件;
- 损伤效应;
- EMP;
- IEMP;
- γ辐射;
15.电子线路IEMP效应计算机模拟技术研究
- 詹峻岭;钟洪声
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：在内电磁脉冲(IEMP)环境下工作的电子系统，将受到IEMP的损伤。电子系统中大量采用集成电路，而集成电路对电磁脉冲比较敏感，往往一个较大的电磁脉冲，会使集成块产生误码甚至烧毁。该文主要介绍了IEMP在CMOS集成电路上的电磁干扰以及计算机模拟。模拟时，IEMP采用高空核爆产生的HEMP公式来近似表征，选2000门门阵列FPGA芯片中的单元电路为模拟对象。根据CMOS集成电路IEMP损伤的失效机理及法拉第电磁感应定律推导出感应电动势的计算公式，建立CMOS集成电路的电路模型，模拟并分析IEMP感应出的干扰脉冲通过输入端，输出端及电源端，耦合进单元电路后对该电路造成的影响，最后对应不同的引线长度得出使集成电路产生瞬态损伤和永久性损伤的电场峰值。
16.多芯电缆电流注入法EMP耦合试验研究
- 罗学金;周启明
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了电流注入法EMP耦合试验的原理、实验装置、测量系统和实验方法。给出了几种负载状态的多芯电缆电流注入法EMP耦合试验的结果，并对不同负载情况下，感应电流或感应电压随电缆外皮感应电流的变化关系做了对比分析。
17.电缆对电磁脉冲耦合规律的试验研究
- 范思安
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了SYVZ-9型局部双屏蔽短电缆界波电磁脉冲模拟器上做耦合试验的条件和目的，并结合试验结果，讨论了试验过程中的现象，分析了试验数据，得出了短电缆在电磁脉冲感应的条件下产生的一些规律。利用这些规律，研究人员可以用它来分析较长电缆上可能产生的现象和预防措施。
18.脉冲电磁场测量系统的校准方法
- 周启明;邓建红;罗学金
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文通过对过去脉冲电磁场测量中存在的问题的分析，论述了建立射频标准场产生器，进行脉冲电磁场测量系统实验校准的重要性。介绍了TEM室作为射频标准场产生器的性能和优点，以及研制和ZQM-1型TEM室的主要技术指标，给出了用TEM室校准测量系统的方法和校准实验结果。
19.电磁脉冲光纤测量系统小波去噪研究
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：针对电磁脉冲测量中光纤传输系统的固有噪声问题，采用小波分析处理方法去除测量信号中噪声的影响。提出了一种小波去噪阈值的自适应调整算法，通过标定信号的训练可使小波去噪达到较佳效果，克服了一般小波去噪方法在去噪阈值选择上需要反复调整的问题。
20.闪光-1加速器与SAE-501型EMP模拟器的动作时间与抖动测量
- 周启明;罗学金;曹文彬
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：用γ模拟器和传输线EMP模拟器组成源区电磁脉冲模拟器，需要解决的关键技术之一，就是要实现两机器的准确同步运行。测量闪光－1加速器和SAE-501型EMP模拟器动作时间与抖动，以研究影响同步性能的因素，分析引起抖动的原因，为制定SREMP模拟器同步方案和可调延迟的触发同步机设计方案提供必要的数据，小抖动、可移动EMP模拟器的设计提供参考数据。该文介绍了测量两主机动作时间与抖动的实验方法和测量结果。
21.光发射机屏蔽外壳对有界波EMP模拟器电场分布的影响
- 陈彬;王廷永;高成;石立华
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文采用时域有限差分法(FDTD)分析了电磁脉冲量测系统光发射机屏蔽外壳对有界波电磁脉冲(EMP)模拟器场分布的影响，为提高电磁脉冲量测系统的标定和量测精度提供了有用的结果。
22.集成三端稳压器电磁脉冲效应计算机模拟
- 许献国
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：集成三端稳压器是电子系统上常用的典型集成电路器件，内部集成的大量晶体管及电阻等半导体单元对电磁脉冲很敏感。在电磁脉冲作用下环境下，脉冲信号沿引线注入，可能对敏感的半导体单元产生损伤甚至损坏，导致稳压器的稳压性能出现退化。利用计算机模拟技术，可以计算出稳压器内部半导体单元在爱到电磁脉冲能量注入时的响应情况，了解哪些单元最易受损伤，对器件的电磁脉冲易损性作出预估。
23.PMOS剂量计的稳定性研究
- 范隆;严荣良;张国强;任迪远
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：在室温条件下，研究了辐照偏置、总剂量和剂量率对PMOS剂量计辐照剂量记录－阈值的稳定性影响，观察了辐照后阈值在不同栅偏下的变化趋势和幅度。分析认为慢界面陷阱中电荷的“充放电”是造成不稳定的首要原因。结果表明，该种由慢界面态造成的阈值变化在每次开机测量下具有重复性。讨论了在PMSO剂量计中提高稳定性的办法。
24.PMOS剂量计的退火特性研究
- 范隆;任迪远;张国强;艾尔肯
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：研究了PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现。结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素，较高退火温度下，退火速率高，幅度大、相同退火温度下，正偏置与负偏置相比有加退火的作用，其退火幅度也较大。在180°C，零偏条件下获得了最快的100℅的退火效果；用模型讨论了实验结果。
25.低剂量率效应及其模拟试验
- 宋钦岐
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文是抗辐射预研“国际上先进的加固技术跟踪研究”的部分研究成果。通过文献调研，综述了新近发展的低剂量率效应，美军标MIL-STK-883D总剂量试验方法1019.4和其他低剂量率效应模拟方法等。对深入研究空间辐射效应有一定指导意义。
26.脉冲硬X射线测量技术研究
- 王宝慧;孙凤荣;黑东炜
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：滤波荧光法是脉冲硬X射线的测量方法之一。它通过对透过滤波片照射在荧光体上而产生的X荧光的测量，来诊断脉冲X光源的能谱和时间性。研究人员经过精心的选择滤波片和荧光全的材料和厚度尺寸，选用廉价的剂量片作探测器组成了能谱测量系统。由于剂量片是非时间性测量，在测量系统中又采取了散射法，用PIN探测器对光源进行时间性测量，从而完成对脉冲硬X射线光源的诊断。对于能量大大高于元素材料的吸收限的硬X射线，采用了超过滤波荧光法来加以测量。该测试系统具有制作费用低、体积小、抗电磁干扰等特点。
27.闪光-1降低预脉冲电压研究
- 曹文彬;李欣
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：分析了闪光－1的预脉冲电压和降低预脉冲电压的效果；采用容性电压探测器实现了对阴阳极间预脉冲电压的监测；比较实测波形和预计波形后，提出了改进的的等效电路模型，并指出了Blumlein中筒与二极管之间耦合电容的影响，使模拟分析结果更好地反映了实测波形特性；提出了进一降低预脉冲电压的途径。
28.加速器“阳”的发生器结构与调试
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：介绍了加速器“阳”发生器在线路和结构上的特点，并对发生器主要元件的参数性能和结构作详细介绍。陈述了发生器调试的方法及实验结果。
- 高压脉冲发生器;
- 场畸变火花隙开关;
29.单粒子效应数值仿真技术研究
- 曹洲
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文评述了星、弹用电子器件单粒子效应(SEEs)计算机数值仿真方法，重点介绍了期望值模型仿真方法，PSPICE、DAVINCI等电子器件仿真器的特点及在单粒子效应仿真研究中的应用。并对开展这项研究工作提出了具体建议，认为针对静态存储器(SRAM)开展翻转截面的线的数学仿真研究有一定技术基础，期望在一定试验数据基础上，计算获得翻转截面曲线；另外，建议从国外引进或自行研制大型单粒子效应数值仿真软件系统（仿真平台），开展单粒子效应对电路特性影响的仿真研究工作。
30.静态存储器单粒子翻转截面数值仿真研究
- 曹洲;颜则东;宋恒杰
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文针对SRAM器件提出了单粒子效应的计算机仿真计算方法。采用宇宙射线重离子与电子器材相互作用的几率模型，在部分地面模拟试验数据基础上，通过数值计算，可得到SRAM器件的σ－LET曲线。仿真计算结果与试验结果的比较分析表明，仿真计算出的σ－LET曲线可应用在SRAM器件空间翻转率的预示分析上，预示结果与美国海军实验室研制的CREME的计算结果十分吻合。研究成功的仿真计算软件地应用于航天抗辐射加固设计上。
31.80C86单粒子效应测试及实验研究
- 陈晓华;贺朝会
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：单粒子效应是影响卫星正常工作主要因数之一，它是由于空间带电离子入到超大规模集成电路(如SRAM、CPU、FPGA等)中所引起的。由于CPU单粒子效应测试系统复杂，帮国内外在这一方面的报道不多。该文较详细介绍了研究人员所研制80C86单粒子效应测试原理、实验方案其数据处理。
32.降低快速晶闸管通态压降和关断时间的质子辐照方法
- 何维;林理彬;陈军;卢勇;何捷;朱佳政
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文从晶闸管通态压降产生的方面入手，在分析通态压降产生机理的基础上，从协调开关时间与通态压降关系上提出双束质子辐照晶闸管。通过对KK200A半成品晶闸管进行能量3.5MeV和5.0MeV注量为2.5×10<'11>p/im<'2>的单束质子辐照所得的晶闸管的电学参数与相同能量的双束质子辐照晶闸管所得电学参数对比，得出了双束质辐照不仅能有效地缩短晶闸管的开关时间，而且在降低快速晶闸管的通态压降方面比单束质子辐照的晶闸管优越。
33.CaF<,2>:Mn热释光剂量计的研究
- 吾勤之;陈朝阳;巴维真;安金霞
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：制备出CaF<,2>：Mn（锰激活CaF<,2>）热释光材料及CaF<,2>：Mn/Teflon、CaF<,2>：Mn/Lif剂量元件，研究了发光曲线、剂量响应曲线、响应的时间衰退特性、剂量率响应、重复使用特性等剂量学特性。结果表明，两种剂量计剂量学特性较为理想，可用于抗辐射加固研究中电子器件辐射吸收剂量的测量。
- CaF,2;
- Mn;
- 热释光;
- 剂量;
34.硅单片线性放大电路EMP响应特性研究
- 李继国;刘庆祥
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：研究硅模拟集成电路中的单片线性放大电路EMP响应的测试夹具测试方法，在此基础上利用方波脉冲注入法研究硅线性放大电路处非工作状态下的EMP损伤阈值以及在正常工作状态下，EMP作用时出现干扰、阻塞和损伤的阈值。
35.辐照离子在固体材料中的射程和损伤解析模拟计算
- 陈军;林理彬;王鹏
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文运用LSS的理论结合一定的简化势模型得到了辐照离子在固体材料中的射程和损伤的解析式，并将之程度化。计算了质子和He离子以不同能量和注量入射Si,MgO,TiO<,2>的射程和损伤度，并与trim96程序计算结果和实验值进行了比较，较trim96程序计算值大，但与实验值更好地符合。
36.MBE低温生长GaAs抗γ剂量率性能研究
- 张绵;王云生;吴巨;曾一平
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：利用分子束低温生长GaAs材料的极低载流子寿命的特点，经优化用制备了超高速模拟开关集成电路，结合其它的技术措施，该开关在9.15×10rad(Si)/s的γ剂量率辐照下，其功能正常，但也有底宽为0.2μs、峰幅度为3.2V(开启幅度为30℅）的开启。
37.80C31单片机系统伽玛剂量率闭锁窗口现象研究
- 杨怀民
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：在6MVX闪光机上对80C31单片机系统进行了伽玛剂量率辐照试验。在试验中还观察到了计算机系统的闭锁窗口现象。在伽玛量率5.91E＋8rads(Si)/s至2.86E＋9rads(Si)/s之间80C31单片机系统发生了闭锁，程序中断，只有在电源关断若干时间以后重新接通计算机才能重新恢复工作。在伽玛剂量率3.69E＋9rads(Si)/s至7.77E＋10rads(Si)/s之间80C31单片机系统仅发生程序不同的时间的中断，计算机仍然能够继续工作。该文还对闭锁窗口对象进行了讨论。经过加固后在伽玛剂量率9.21E＋8rads(Si)/s至9.15E＋10rads(Si)/s之间未发现闭锁窗口现象，仅观察到不同时间程序的中断，计算机仍然能够继续工作。
38.GaAs电子开关抗γ剂量率研究
- 王云生;张绵;赵静;白锡巍
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文提出了一种新颖的电电流电路补偿技术，明显地提高了GaAs电子开关的抗γ剂量率的能力。结合其他的技术措施，最终获得的结果为：GaAs开关组件在1.1×10<,11>rad(Si)/s的γ剂量的辐照下、工作电压12V、负载能力220mA，其功能正常，仅有0.2μs、30℅的轻微开启。
39.模数转换器辐射效应技术研究
- 颜则东;曹洲;敬辉;邵航
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：模数转换器(ADCs)在卫星电子系统上有广泛的应用，怎样实现ADCs辐射效应的全面测试是型号设计和加固技术验证评估所面临的一个问题。该文介绍了模数转换器电性能测试的一般方法和技术，并就针对ADC0809模数转换器研制成功的测试系统作了详细的介绍。测试系统采用上位机的控制方法，其核心部分是基于8051单片机的动态测试器，该动态测试根据上位机命令可完成ADC0809启动、模拟信号输入、转换数据采集、采样数据回送等功能。上位机测试系统软件采用Visual Basii语言编程，应用面向对象编程思想，实现了可靠的控制；界面设计采用Windows界面易于使用操作。测试系统能对ADC0809进行辐照环境下的动态测试，可比较分析辐照前后ADC0809器件的传输特性曲线变化、微分、积分线性误差变化及数据处理分析。采用该测试系统完成了ADC0809器件的总剂量效应和高能质子损伤试验研究，获得了期望的实验数据。
40.注F栅介质抗电离辐射损伤机理
- 张国强;余学锋;陆妩;范隆
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：对含F MOS结构的抗电离辐射特性和机理进行了系统研究。其结果表明：F减少工艺过程引入栅介质的E’中心缺陷和补偿Si/SiO<,2>界面Si悬挂键的作用，将导致初始氧化物电荷和界面态密度的下降；栅SiO<,2>中的F主要以F离子和Si-F结键的方式存在；含F栅介质中部分Si-F键替换Si-0应力键而使Si-SiO<,2>界面应力得到释放，以及用较高键能的Si-F键替换Si-H弱键的有益作用是栅介质辐射敏感性降低的根本原因；含F CMOS电路辐射感生漏电流得到抑制的主要原因是场氧介质氧化物电荷的增长受到了明显抑制。
41.MOS电容的热载流子损伤效应
- 张国强;余学锋;任迪远;艾尔肯
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文对N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入(SHE)，并且高频C-V及准静态C-V分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了MOS结构热载子损伤的特性、机理、为今后抗热载子损伤的加固技术研究提供了基础。
42.X射线总剂量效应的初探
- 张力
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：X射线与γ同属电离辐射，其对半导体器件的辐照效应从损伤机理上看有一定的等同性，但由于X射线能量较γ射线低，与半导体器件封装材料的反应截面大，因此产生辐照效应与γ射线有一定的差异，该文简要介绍了X射线辐照半导体器件的总剂量效应初步研究的结果。
43.铟镓砷PIN光电探测器辐照γ射线和质子损伤机理的研究
- 李光颜
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文是用电子十三所研制的长波长红外探测器InGasPIN进行r射线和质子辐照的研究。R射线的最高剂量是3E6rad(Si)。辐照结果表明器件暗电流略有增大。击穿电压基本不变，响应度变化在30℅以内。在2MeV质子能量辐照下，采用不同的剂量辐照结果表明在1*10<'15>/im<'2>下，器件全部损伤。当剂量减小，损伤程序减小。当剂量小于1*10<'10>/im<'2>时，器件性能参数基本不变。实验证明当有屏蔽时，器件损伤大大减轻，该文还对器件损伤机理进行了分析。这些实验结果对InGasPIN器件在宇航通讯中有重要意义。
- InGasPIN;
- r射线;
- 质子;
- 辐照;
- 损伤机理;
44.两种不同工艺CMOS运算放大器的电离辐照响应特性
- 陆妩;郭旗;任迪远;张国强;余学锋
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文研究了干氧和氢氧合成两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征和变化规律。结果显示，虽然对单管特性而言，干氧工艺具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力，但由于在辐照过程中氧化物电荷的形成改变了电路的对称性，因而对电路造成比氢氧合成工艺更大的损伤。表明，适当的界面态的引入，有利于增加负载电流镜的饱和工作范围，从而降低电路的辐射敏感性。
45.不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应
- 任迪远;陆妩;郭旗;余学锋;严荣良
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了在相同工艺条件下，N沟和P沟输入两种不同结构CMOS运算物大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对特性的影响情况。结果显示：由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致P沟输入运放电特性衰降的主要机制；而由氧化物电荷和界面态引起的N沟差分对的漏电增大则是造成N沟输入运放电路性能变差的主要原因。
46.MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系
- 任迪远;余学锋;艾尔肯;张国强;陆妩;郭旗
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文通过国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载子损伤叠加实验，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了MOS结构热载子损伤特性及与电离辐射损伤的关系。
47.MOS晶体管中辐射引起的陷阱正电荷的强压退火
- 姚育娟;张正选;姜景和;何宝平;罗尹虹;张正选
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：电离辐射在MOS结构的SiO<,2>层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正栅偏压下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO<,2>导注入，从而与陷阱正电荷复合。正栅压退火不仅对N沟MOS结构非常有效，对P沟MOS结构也有一定的影响。该文给正栅压退火的实验结果，并阐明了栅压退火机理。
48.绝缘材料辐照力学效应
- 张光彦;田翠英;郭积华;钟华铭
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了绝缘材料辐照机械效应，并讨论了辐照材料吸收剂量和绝缘材料强度之间的关系，并举例分析了聚氨酯泡沫塑料低剂量堆中子辐照的机械性能。
49.强电磁辐射效应研究中的几个物理问题
- 贺云汉
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：针对近几年来强辐射效应，尤其是高功率微波效应和超宽带非核强电磁脉冲效应研究中的几个物理问题，发表了作者的见解。这些问题是：1.高功率微波的热效应；2.热二次击穿不是热效应；3.效应中的功率和能量问题；4.器件效应与分系统效应。
50.非加固CMOS器件54HC04<'90>Sr-<'90>Y源辐射效应研究
- 吴国荣;张正选;周辉;罗尹虹
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用<'90>Sr-<'90>Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国内首次给出了器件在连续辐照状态下的效应数据。研究结果：非加固的54HC04的抗辐射水平在1-3×10<'2>Gy。
51.抗辐射加固新材料应用研究
- 田翠英;周擎;钟华铭
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文结合国内外反导防御系统及抗辐射加固研究的发展概况，对抗辐射新材料如：抗硬X射线复合屏蔽材料、抗中子温升效应的材料、抗电磁脉冲复合材料等研究提出了看法，可为抗辐射加固新材料的研究提供参考。
52.电子系统元器件指标分配实验研究
- 贾温海
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文采用实验的方法研究了电子系统内电子元器件核辐射指标的分配。其研究目的是为系统用电子元器件的加固、考核和评估提供更加合理的参考。研究是通过采用晶体管辐射损伤监测器和S-32中子活化箔监测二个典型电子系统组件盒内印刷电路板上没位置处的中子注量的分布来确定组件内电子元器件的核辐射分配指标。通过两次中子反应堆辐照实验初步确定了具有不同结构形式的组件内电子元器件的指标分配系数约为0.7～1。
53.半导体器件无损筛选研究
- 徐曦
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：半导体器件的无损筛选不同于普通统计筛选。它通过少量器件辐照试验，实现对未辐照器件按辐照性能进行筛选分类的目的。此技术可以筛选出辐射性能提高几倍的器件。对同批450只3CO1B型场效应管进行的无损筛选试验研究了此方法的可行性和实用性。对随机抽取的26只样品，通过辐照前器件信息参数测试和钴源辐照后性能参数测试，计算相关系数和信息系数，得到对单个器件适用的辐照性能变化预测公式。实测值和预测值最大误差7℅左右。
54.高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
- 严荣良;余学锋;艾尔肯;郭旗
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器／线驱动器在<'60>Co辐照下，交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明，在低剂量率0.07Gy(Si)/s辐照下，延迟时间T<,PHL>退化比高剂量率1.9Gy(Si)/s辐照下严重，且对加固电路，这一交流特性退化的剂量率效应更为明显。辐照偏对延迟退化肯有强烈的影响，4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的T<,PLH>和T<,PHL>产生较早而明显的退化。因此，为了评估此类电路的总剂量加固性能，需要考虑合适的辐照试验条件和评估方法是十分重要的。同时结果亦为如何进一步提高加因水平具有指导作用。
55.测控系统数字采集设备的抗EMP加固技术研究
- 郝春生
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：文中采用测控系统的数据采集设备做为EMP加固对象，它由16路A/D开关、程序存储器及主机芯片组成，选择输入和两个端口做为加固点，经使用由滤波器和保护二极管组成的加固电路后，使试验电路加固前后的抗干扰能力取得显著提高，达到美军电磁兼容所规定的指标。
56.CC4011电路EMP保护技术研究
- 余彦胤
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：四2输入与非门集成电路CC4011是应用于典型电子线路的上的一种中规模集成电路。在核爆产生的NEMP和IEMP作用的环境下，通过CC4011的电源端，输入端和输出端引线，将耦合电磁脉冲能量而产生一定强度的电压，电流信号，对CC4011内部的MOS器件中金属条烧毁或输入保护电阻烧毁，产生损伤甚至损伤。将新型EMP保护器件组成的防护电路应用在典型电子线路的合适位置处，可以使电子线路在场强高达5×10<'4>伏／米情况下仍能够正常工作。
57.CMOS电路电离辐射加固设计
- 陈桂梅;董岩
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文从电离辐射使CMOS电路失效机理入手，进行CMOS电路的版图加固设计和工艺加固设计，主工对场区和栅氧化进行加固，以提高CMOS电路抗辐射能力，使作者所研制的电路抗辐射能力达到3×10<'3>Gy(Si)。
- 辐射加固;
- CMOS;
58.智能剥离SOI材料的制备过程研究
- 吴东平;包宗明;李爱珍;黄宜平;宋丹丹
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：用积聚式缓慢地退火方法在较低的温度下(390°C)成功地获得了用智能剥离技术形成的SOI结构。用红外透射成象技术分析了智能剥离的准动态过程。由于H在硅中对硅器件的抗辐照性能有很大影响，用红外付立叶谱分析了注入在硅中的H离子在剥离过程中的行为，表明没有明显的Si-H键的存在。
59.强辐射保护器原理样机质子辐照实验及空间应用研究
- 敬辉;邵航;颜则东;曹洲
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：利用串列静电加速器提供的质子束流，验证“星用辐射敏感设备强辐射保护器原理样机”在质子能量分别为6、10、21MeV，通量大于300、1000p/m<'2>/s时有报警和自主防护信号输出，并论证强辐射保护器在卫星抗辐射加固方面的应用。
60.SOI技术的现状、优势和应用
- 张正(王番);郭林;张正(王番);辛毅;石志宏;曹阳;苏万市
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文详细介绍了SIMOX、BESOI和Unibond等SOI技术的现状，并对SOI的优势和应用作了阐述。
61.薄栅氮化物的击穿特性
- 张国强;陆妩;艾尔肯;余学锋
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明：MOS栅介质中引入一定的N后，能提高介质的电荷击穿强度，电荷击穿强度受N<,2>O退火温度的制约；N对薄栅介质击穿电场强度影响较小，击穿电场受高场栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果。
62.高压整流硅堆的加固性能评估技术研究
- 周荷秀;李继国
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了一种高压整流硅堆的加固性能评估技术，也可称之为无损筛选方法，该技术选择PN结串联电阻、反向击穿电压和反向恢复时间等多个能反映器件抗辐射性能的参数作为信息参数，通过对同一批次硅堆粒子做不同注量的中子辐照试验，根据试验数据得出高压整流硅堆的辐射敏感参数（辐照前后正向压降的变化率V<,FΦ>/V<,FO>）与上述信息参数之间的对应关系，排除相关性较差的信息参数及影响PN结串联电阻的准确性的接触电阻部分，确定了以纯PN结串联电阻平均值作为主要信息参数，以它作为函数变量，通过计算机拟合得出相关曲线及预估方程，并通过实验初步验证。
63.1Ms/sCMOS/SIMOX八位A/D转换器技术研究
- 刘永光;张正番
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：SIMOX是一种新型的SOI材料，用它制作的CMOS电路实现了全介质隔离，具有无闭锁、速度快、抗辐照等优点。该文采用CMOS/SIMOX工艺研制1Msample/s八位A/D转换器，该A/D转换器采用半闪烁型结构，由两相四位全并行A/D转换器实现八位转换。电路共有31个比较器，采用斩波稳零型结构，它具有结构简单和失调补偿功能。电路采用多晶电阻网络、ROM译码、三态输出。电路采用5μmCMOS/SIMOX工艺制作，5V单电源工作，0～5V模拟电压输入。电路由2100个器件组成，芯片面积3×3.07mm<'2>。
64.嵌入式计算机系统抗辐射加固的软件措施
- 张新
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文应用以往的辐射效应结果，给出电子系统上使用的嵌入式计算机系统的典型故障特征。从所处理的数据对象入手，应用常规计算机容错技术，给出有效的软件加固设计方法，即容错加固设计方法和系统恢复加固设计方法，主要给出提高系统刚健性的有效措施，系统恢复技术只用了概念性的介绍。以辐射环境下计算机系统的薄弱环节－－数据存储器为例，进行了故障模拟、故障纠错／检错和故障恢复的模拟实验。
65.星载微机软件抗SEU加固技术研究
- 周彦平;杨生胜;张英;顾克伟
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文从分析微机芯片80C86和8031C内部结构入手，进行了空间单粒子效应引起的故障分析，并提出了软件应采用的加固对策。
66.电子系统的瞬态保护
- 汪文律
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了现代电子系统进行瞬态保护的必要性，瞬态源的种类，特别强调了美国将EMP作为武器使用，并规定军用电子系统必须进行抗EMP加固的状况。文章中还介绍了航天771所研制抗EMP保护器件的情况及达到的水平。
67.磁放大技术在抗辐射加固DC/DC电源中的应用
- 杨安智;冯一民;曹光明
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文介绍了目前中国抗辐射加固DC/DC电源的现状和水平，以磁放大技术在抗辐射加固DC/DC电源应用中的需求为背景，介绍磁放大技术的工作原理。重点以自激推挽式单路输出DC/DC电源的拓扑结构为主线，对其工作原理、抗中子辐射机理、实验结果及水平作计算和分析，并初步总结了磁放大技术在DC/DC电源应用中目前所能达到的技术指标、存在问题和应用前景。此外，该文还简单介绍了磁放大技术在单端正式多路DC/DC电源中的典型应用拓扑电路，以丰富磁放大技术在抗辐射加固DC/DC电源中的应用产品种类。
68.Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术研究
- 胡永贵;谭开州
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：MOSFET总剂量加固强烈依赖工艺技术，对干氧方式不同条件制备的NMOS、PMOS管，分析其辐照响应，并借用亚阈值I-V技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献，得出干氧抗总剂量加固较佳的工艺条件。
69.大规模集成电路γ瞬时辐射效应研究
- 余仁根
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：通过该项目的研究，建立了大规模集成电路γ瞬时静态、动态辐射试验方法和试验测试系统，通过“闪光-1”加速器γ瞬时静态辐射试验，获得了存储器静态辐射下的程序擦抹规律。通过γ瞬时动态辐射试验，获得了存储器(EPROM、EEPROM、RAM)，微处理器(CPU)，模／数（A/D)、数／模(D/A)变换器和单片微机大规模集成电路的γ瞬时损伤的规律，对其产生损伤的机理进行了研究；提出了γ瞬时加固的主要途径。研究成果可用于今后国内大规模集成电路的抗γ瞬时加固工作中。
70.加速“阳”的发生器结构与调试
- 周荣国;顾元朝
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：介绍了加速器“阳”发生器在线路和结构上的特点，并对发生器主要元件的参数性能和结构作详细介绍。陈述了发生器调试的方法及实验结果。
- 高压脉冲发生器;
- 场畸变火花隙开关;
71.电磁脉冲光纤测量系统小滤去噪研究
- 石立华;陈彬;周璧华
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：针对电磁脉冲测量中光纤传输系统的固有噪声问题，采用小波分析处理方法去除测量信号中噪声的影响。提出了一种小波去噪阈值的自适应调整算法，通过标定信号的训练可使小波去噪达到较佳效果，克服了一般小波去噪方法在去噪阈值选择上需要反复调整的问题。
72.复杂结构目标核电磁脉冲效应的数值模拟
- 孟萃
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文用时域有限差分法编制了三维计算软件，对具有复杂结构的目标在双指数核电磁脉冲环境下的物理过程进行了数值模拟；计算了不同上升沿和脉宽的双指数核电磁脉冲(NEMP)对处于金属带孔柱壳内的圆柱金属的效应；总结出通过金属带孔柱壳上的孔缝耦合入腔体的电磁场能量与入射波的关系，给出屏蔽体的总电流和表面电流密度与圆柱金属的总电流、表面电流密度分布的一般规律。
- 时域有限差分;
73.圆柱腔体内电磁脉冲环境及细长导体表面电流的三维数值计算
- 陈彬
- 《第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 1999年
摘要：该文采用时域和限差分法(FDTD)，对圆柱腔体内电磁脉冲环境及腔体偏轴位置上细长导体表面感应电流进行了三维数值计算。
- 内电磁脉冲;