Germanium Negative capacitance Passivation time;
机译:不同MOS电容的负电容场效应晶体管的比较研究。
机译:基于模拟的铁电栅叠层负电容双栅隧道场效应晶体管研究
机译:亚阈值摆幅低于物理极限的MoS_2负电容场效应晶体管
机译:具有内部金属栅极的亚60 mV / dec铁电HZO MoS
机译:二维二硫化钼负电容场效应晶体管
机译:β-Ga2O3纳米膜具有陡峭亚阈值的负电容场效应晶体管宽带隙逻辑应用的斜率
机译:不同MOS电容的负电容场效应晶体管的比较研究