机译:恒压应力和衬底热载流子注入下超薄栅氧化物MOS电容器的TDDB特性
机译:恒压应力下超薄栅极氧化物MOS电容器的TDDB特性及基板热载体喷射
机译:低栅极电压应力下具有超薄栅极氧化物的90 nm栅极长度LDD- NMOSFET的热载流子退化
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机译:具有HfLaO和HfZrLaO超薄栅极电介质的金属氧化物半导体电容器的时间相关介电击穿(TDDB)特性
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:膜蛋白中电压耦合的微观电容器模型:Ci-VSD中的门控电荷波动
机译:恒压应力下超薄栅极氧化物MOS电容器的TDDB特性及基板热载体喷射
机译:再氧化氮化物氧化物p-mOsFET的通道热载流子应力