高温MOCVD法AlN/sapphire类同质外延生长研究

摘要

AlN/sapphire模板质量对于AlGaN基光电子器件性能有至关重要的作用,研究如何提升AlN/sapphire模板质量具有重要意义.本研究在氢化物气相外延(HVPE)方法制备的AlN/sapphire模板衬底上,通过高温金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法进行AlN类同质外延生长研究,结果表明,AlN(10-12)面X射线衍射(XRD)摇摆曲线半峰宽从479arcsec降低至377arcsec说明AlN/sapphire模板刃位错密度得以降低.本研究为提高AlN/sapphire模板质量提供了一种新的方法.