LED 3D封装基板用TPI/ALN纳米导热膜的制备与研究

摘要

通过原位聚合制备了TPI/ALN纳米导热膜.研究了纳米ALN颗粒不同添加量对TPI/ALN纳米导热膜的Hi-Pot、热导率、剥离强度以及介电性能(Dk/Df)的影响.结果表明:TPI/ALN纳米导热膜的热导率随着纳米ALN填充量的增加而增大,并在10wt％时呈现最大值0.41w/(m.k);而剥离强度随填充量的增加先增后降;接收态的导热膜Hi-Pot在3wt％时达到最大值2kV(AC),继续添加纳米ALN到20wt％时,Hi-Pot值急剧下降;弯曲后的导热膜Hi-Pot在0.5wt％时达到最大值1.34kV(AC).介电常数在低频时显著增大,在高频时则变化不大,介电损耗随着频率的增大而显著增大.