LED 3D封装基板用TPI/AlN纳米导热膜的制备与研究

摘要

通过原位聚合法制备了热塑性聚酰亚胺/氮化铝(TPI/Al N)纳米导热膜。研究了纳米Al N颗粒不同添加量对TPI/Al N纳米导热膜高压击穿(Hi-Pot)、热导率、剥离强度以及介电性能的影响。结果表明:TPI/Al N纳米导热膜的热导率随着纳米Al N填充量的增加而增大,并在质量分数为10%时达到最大值0.41 W/(m·K);而剥离强度随Al N填充量的增加先增大后减小;交收态的导热膜Hi-Pot在质量分数为3%时达到最大值2 k V(AC),继续添加纳米Al N到20%时,Hi-Pot值急剧下降;弯曲后的导热膜Hi-Pot在质量分数为0.5%时达到最大值1.34 k V(AC)。导热膜的介电常数(Dk)在低频范围时显著增大,在高频范围时变化不大,介质损耗(Df)随着频率的升高而显著增大。