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Thermal conductivity of materials for electronic packaging substrates.

机译:电子封装基板材料的导热系数。

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摘要

Data on the thermal conductivity of commercially available aluminum nitride substrates, over the temperature range of 20-500 K, is analyzed using the Klemens model. Parameters in this model, which include crystallite size and impurity concentration, are determined through a nonlinear least squares fitting routine. The resulting parameters are compared with values obtained from other experimental techniques such as scanning electron microscopy (SEM) and proton induced x-ray emission (PIXE). The magnitude and temperature of the peak in the thermal conductivity data is observed to be uniquely dependent on the crystallite size and lattice impurity concentration of the specimen. This observation has lead to the development of a graphical technique for the estimation of impurity concentration and crystallite size from low temperature thermal conductivity data.
机译:使用Klemens模型分析了在20-500 K的温度范围内市售氮化铝基板的热导率数据。该模型中的参数(包括微晶尺寸和杂质浓度)是通过非线性最小二乘拟合程序确定的。将所得参数与从其他实验技术(例如扫描电子显微镜(SEM)和质子诱导的X射线发射(PIXE))获得的值进行比较。观察到热导率数据中峰的大小和温度唯一取决于样品的微晶尺寸和晶格杂质浓度。该观察结果导致了用于从低温热导率数据估算杂质浓度和微晶尺寸的图形技术的发展。

著录项

  • 作者

    Dinwiddie, Ralph Barton.;

  • 作者单位

    University of Delaware.;

  • 授予单位 University of Delaware.;
  • 学科 Physics Condensed Matter.;Engineering Materials Science.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 1991
  • 页码 139 p.
  • 总页数 139
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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