相移掩膜应用于显示技术光刻细线化的初步研究

摘要

实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,两种相位移掩膜和传统掩膜下4um/2um等间隔线的光强分布.并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30um时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图.实验结果表明：自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势.自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用.