AlGaInP发光二极管性能提升

摘要

本文介绍了三安光电公司研发和生产的AlGaInP-LED薄膜RS系列芯片产品产业化技术现状.通过工艺技术调适使现有RS-LED芯片亮度提升20％,在LED产业中具有更有利的竞争力,其中提升亮度技术包括了将目前全方位镜面优化,藉由通过采用双ODR体系以及较佳的金属反射率将亮度提升10％,改变台面侧壁外型增加出光,以及将其搭配侧壁粗化等关键工艺技术,整体亮度提升约为20％,实现了有限面积下亮度指标大幅提升的目标.