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倒装透明衬底AlGaInP发光二极管

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本文介绍了倒装透明衬底AlGaInP发光二极管芯片的研制,建立起较为完善的芯片制程,并通过一系列制程优化来提升亮度,最终制的芯片在350mA电流下亮度达到72.231m,其流明效率为95.191m/w.

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来源
《第十五届全国LED产业发展与技术（2016’LED）暨2016全国LED显示应用技术交流及产业发展研讨会》|2016年|129-131|共3页
会议地点江苏常州
作者
Xiong Weiping; 熊伟平; Yang Shufan; 杨恕帆; Yang Meijia; 杨美佳; Wu Junyi; 吴俊毅; Wu Chaoyu; 吴超瑜; Wang Duxiang; 王笃祥;
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作者单位

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8:TN303;
关键词
发光二极管; 芯片结构; 倒装透明衬底; 流明效率;

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