AlGaInP Light-emitting diodes (LEDs) Super-aligned carbon nanotube (SACNTs) Current-spreading;
机译:通过插入和优化n-InGaN / GaN复合电流扩展层来增强GaN基发光二极管的性能
机译:使用n-AlGaInP层的化学湿法蚀刻制造的AlGaInP基发光二极管的提高的光提取效率
机译:具有减少的氧化石墨烯电流扩散层的GaN基发光二极管的制备和特性
机译:AlGaInP高亮度发光二极管的原生氧化AlAs电流阻挡层
机译:具有无机掺杂的空穴传输层的有机发光二极管的性能增强。
机译:使用无机/有机杂化层通过原子层沉积进行有机发光二极管的薄膜封装
机译:以SACNTs为电流扩散层的AlGaInP发光二极管