Li3N-Mn复合助熔剂生长GaN单晶体

摘要

文章利用Li3N-Mn复合助熔剂生长GaN单晶体，并对得到的GaN单晶体进行了表征，对表征的结果进行了讨论。研究结果表明：与Li3N助熔剂相比，Li3N-Mn复合助熔剂有利于GaN单晶体生长，在一定程度上抑制了GaN均匀形核的现象，有利于得到尺寸更均匀分布得GaN单晶体，得到GaN单晶体质量有所提高，而且GaN单晶体生长机制得到了加强。