退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘喆; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平;
中国科学院半导体研究所材料科学中心;
GaN; MBE; γ-Al2O3; 缓冲层;
机译:生长前衬底氮化对ECR-MBE在Si(001)和Si(111)衬底上生长的GaN异质外延层初始生长过程的影响
机译:惰性氮分子,氮自由基原子,氮自由基分子和氮分子离子之间的相互影响对通过分子生长在Si(001)和Si(111)衬底上生长的GaN异质外延层的生长过程和晶体结构的影响
机译:使用外延γ-Al_2O_3(001)缓冲层在Si衬底上外延生长Pt(001)薄膜
机译:在图案化7度偏轴(001)Si衬底上生长的GaN的(1-101)面上制造AlGaN / GaN异质结构
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:反应性磁控溅射外延在单模激光作用下在SiOx / Si(001)衬底上单晶纤锌矿GaN纳米棒的选择性区域生长
机译:siOX / si(001)衬底上单晶纤锌矿GaN纳米棒的选择性区域生长反应磁控溅射外延表现出单模激光
机译:Gaas(001)和alas(001)衬底上si层的外延生长和界面参数
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有GaN层的Si器件衬底上的GaN包括10nm以下的SiNx中间层,可促进晶体生长并减少螺纹位错
机译:外延生长在带沟槽的Si <001>衬底上的立方相氮基化合物半导体薄膜
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。