AlGaN/GaN异质结场效应晶体管夹断电压与阈值电压的关系

摘要

本文我们首先通过AlGaN/GaN HFET栅源间的C-V曲线求出沟道的二维电子气浓度,然后利用C-V曲线的积分曲线求出阈值电压,进而通过薛定谔方程和泊松方程的自洽求解验证了当栅肖特基栅金属所加偏压为开启电压时,费米能级EF与异质界面处GaN导带底重合,最后我们利用薛定谔方程和泊松方程的自治计算,求解出了AlGaN/GaN HFET夹断电压,然后进一步验证得到了夹断电压和阈值电压的关系。