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陈珂; 王昊; 马俊彩; 付小凡; 张进成; 郝跃;
中国电子学会;
InGaN沟道; 异质结; 低温A1N生长;
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的超薄沟道N极性GaN /(AlN,InAlN,AlGaN)高电子迁移率异质结中的非常高的沟道电导率
机译:生长温度对脉冲金属有机化学气相沉积法生长InGaN沟道异质结构性能的影响
机译:模式蓝宝石衬底上P-ingan / I-ingan / N-gan双异质结太阳能电池的生长和表征
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:生长温度对脉冲金属有机化学气相沉积生长的InGaN沟道异质结构性能的影响
机译:异质结(磷化镓硅异质结的生长)研究。第一部分
机译:具有p型应变InGaN基极层的GaN异质结双极晶体管
机译:P型应变InGaN基层的GaN异质结双极晶体管及其制造方法
机译:具有p型失真ingan基层的gan异质结双极晶体管及其制造方法
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