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磁流变抛光

磁流变抛光的相关文献在1999年到2023年内共计470篇,主要集中在机械、仪表工业、金属学与金属工艺、化学工业 等领域,其中期刊论文166篇、会议论文14篇、专利文献188953篇;相关期刊62种,包括国防科技大学学报、西安工业大学学报、金刚石与磨料磨具工程等; 相关会议11种,包括第15届全国特种加工学术会议、中国航空学会制造专业分会辅机学组2010年度学术会议、第15届全国机械设计年会等;磁流变抛光的相关文献由674位作者贡献,包括黄文、戴一帆、张云飞等。

磁流变抛光—发文量

期刊论文>

论文:166 占比:0.09%

会议论文>

论文:14 占比:0.01%

专利文献>

论文:188953 占比:99.90%

总计:189133篇

磁流变抛光—发文趋势图

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    • 杨航; 王春; 黄文; 何建国; 贾阳
    • 摘要: 针对自由曲面光学元件面形较复杂的特点,文中提出了一种磁流变抛光最佳的压力场获取方法。首先通过对磁流变抛光自由曲面光学元件抛光区域的压力场进行分析,得到压力场影响因素;其次,结合压力场影响因素,基于几何相贯理论建立压力场量化形态学评价方法;然后,基于自由曲面的几何模型,将该方法分别用于平面、不同曲率的球面和自由曲面,进行不同浸入深度和不同角度的分析,得到对应的压力场面形,再进行压力场形态学评价计算;最后通过对所得的实验数据进行分析,证明该方法能够很好地表征压力场形态学参数。
    • 肖强; 王嘉琪; 靳龙平
    • 摘要: 随着超光滑平面器件的需求越来越大,要求器件表面粗糙度需达到纳米级,面形精度达到微米级,且无表面和亚表面损伤。传统超精密抛光技术效率低、成本高、不易控制,易产生表面、亚表面损伤,难以满足生产的要求。磁流变抛光技术(MRF)是利用磁流变抛光液在磁场中的流变性对器件表面进行抛光的一种新兴的超精密加工技术,其抛光过程可被有效控制,且能够实现精准抛光,可达到超精密的质量要求。本文对磁流变抛光技术中磁流变液和磁极等关键参数进行了分析和总结,详述了磁流变液的组成部分、常见材料以及三大指标(沉降稳定性、磁力学特性和剪切屈服应力)。研究结果表明,磁流变液的沉降率和稳定性都与磁流变液中的成分密切相关,磁敏微粒不同,磁流变液的沉降率也各有不同,通过使用不同的添加剂改变磁敏微粒的表面活性,从而改变磁流变液的沉降性能;磁流变液的组成部分中磁敏微粒作为唯一有效的导磁材料,影响着磁流变液的磁力学特性;磁场作用下,磁敏微粒逐渐形成链状结构,处于凝聚状态,当磁敏微粒的磁化强度不断增大时,剪切应力也呈现出明显增大的趋势。同时本文综述了磁场发生装置中磁极的不同形态对磁场的影响以及磁极的不同布列方式对磁场和抛光效果的影响,阐述了不同的磁极排列方式对磁场大小和抛光垫均匀性的影响规律。相比其他形状的磁极,圆柱形和方形柱状磁体是最理想的两种永磁体形状。本文总结了目前磁流变抛光技术的工艺研究的新方向,包括集群磁流变抛光技术、可以加工曲面的组合磁流变抛光技术、全球面包络磁流变抛光技术以及超声磁流变复合加工技术,介绍了这几种加工方法的工作原理以及能够达到的工艺效果,最后总结了现阶段磁流变抛光技术研究中存在的问题,并对其今后的发展方向进行了展望。
    • 杨航; 佘娜; 张云飞; 黄文; 贾阳
    • 摘要: 凸光学元件在磁流变抛光区域的几何特性对制造高精度、高表面完整性光学元件有重要影响,凸光学元件曲率、嵌入深度与角度的变化将引起磁流变抛光区域压力场的变化。为了研究凸光学元件不同的曲率、嵌入深度与嵌入角度下抛光区域的压力场,首先通过建立磁流变抛光过程中压力模型,对抛光区域的压力进行分析;其次基于Kahan数值方法建立了多场耦合积分的快速计算方法。最后,计算凸光学元件在不同曲率、嵌入深度及角度下得到磁流变抛光区域压力场分布,研究凸元件在磁流变抛光区域受几何特性影响的工艺规律;得出结论:在磁流变抛光过程中通过改变凸光学元件曲率、相同曲率下的嵌入深度以及角度的情况下,当加工凸元件曲率增大时,磁流变抛光区域压力场会随之增大;当凸元件曲率一定、嵌入深度逐渐变深时,磁流变抛光区域压力场会增大;当凸元件曲率一定、嵌入角度增加时,磁流变抛光区域压力场会随角度先增大再减小。
    • 杨航; 管瑞; 黄文; 何建国
    • 摘要: 首先阐述机床与工件相对运动的去除机理以及对去除函数的稳定性进行表征,然后对工件在平面以不同速度做平动以及绕定点转动得到的去除函数稳定性进行研究,最后通过数值实验验证。得出结论:X方向速度导致去除函数不稳定;Y方向运动速度增大导致去除函数稳定性波动;摆动弧度小于0.5 rad时去除函数越稳定,超过则不稳定。
    • 肖强; 王嘉琪; 靳龙平
    • 摘要: 为研究磁流变抛光表面粗糙度与工艺参数之间的关系,本文建立数学模型并进行了求解验证。通过分析磁流变抛光技术的原理以及磁流变抛光过程中的材料去除机理,结合Preston方程建立磁流变抛光力学模型。分析工件表面受到的正压力,依据磁流变抛光机理对氧化锆陶瓷工件理论模型的流体动压力和磁场产生的磁化压力进行求解分析,具体化磁流变抛光的力学模型,解得正压力。对磁流变抛光的表面粗糙度进行建模,依据单颗磨料的材料去除作用模型建立磁流变抛光的表面粗糙度数学模型,分析抛光过程中影响表面粗糙度的具体因素,并通过MATLAB软件对方程进行仿真求解,得到磁场强度和磨料粒径对表面粗糙度的影响规律。结果表明,表面粗糙度和工件的压入深度存在一阶线性关系;当磨料粒径固定不变时,表面粗糙度随着磁场强度的增大而增大;当磁场强度固定不变时,表面粗糙度值与磨料粒径之间呈现正比关系。通过实验证明了模型和仿真结果的准确性,仿真分析得到的磁场强度与磨料粒径的关系,磁场强度与表面粗糙度之间的关系与实验一致,确定的磁场强度合理范围为0.4T左右,磨料粒径在2.5μm左右。
    • 杨航; 顾建华; 黄文; 何建国
    • 摘要: 磁流变抛光缎带二次型断面几何形状及嵌入深度是影响磁流变抛光过程压力场大小的重要因素。文章通过建立平面、球面和凸面3种实验模型,对实验断面嵌入深度和形状进行交叉组合对比实验。对比不同形状的二次型断面对磁流变抛光压力场创成的影响;探究嵌入深度改变的情况下其对抛光缎带压力场强度创成的影响及抛光缎带去除效率的影响。实验结果表明,凸面二次型断面在不同嵌入深度下的整体压力值为3个模型中最大;在平面二次型断面中,嵌入深度与压力场的水平呈现正相关;在球面二次型断面模型中,随着球面二次型断面嵌入深度的不断改变,其压力值呈现出集中分布的现象,仅有极少数区域压力值偏离压力值集中分布区,压力值集中分布区域为5.57~8.24 MPa;在凸面二次型断面模型中,凸面二次型断面嵌入深度与整体压力值也呈现正相关的关系。
    • 张瑜; 张峰; 郭芮; 苏瑛; 张云龙; 许增奇; 王阜超
    • 摘要: 近年来,磁流变抛光作为一种确定性加工方法已成为获得高精度非球面的重要手段。作者以回转对称二次抛物面为例,分析了磁流变抛光中使用抛光轮校正工件位置的理论方法,并通过实验在Φ230 mm熔石英样件上验证对刀理论,分别在X方向和Y方向以少于3次的调整次数校正工件位置,实现了X方向、Y方向偏置量均低于0.009 mm;采用磁流变抛光技术对工件进行了修形实验验证,加工后面形精度RMS由λ/7收敛至λ/40。实验结果表明:作者提出的非球面工件位置对刀校正方法简单、可靠,能够很好地对工件进行精确定位,利于高精度非球面磁流变抛光加工。
    • 杨航; 周俊; 张云飞; 黄文; 何建国
    • 摘要: 磁流变抛光技术是在光学发展中为满足光学元件加工精度的要求,而衍生出的一种新型精密抛光技术。通过对磁流变抛光技术原理的研究提出其核心技术的关键因素。根据核心技术的影响因素设置问题和工艺参数,结合流体动力学的研究方法和理论,分析磁流变液密度、流速对磁流变抛光技术工艺加工的质量和效率的影响,并使用有限元分析软件对抛光过程进行仿真。对磁流变抛光过程抛光区域进行局部模拟仿真分析,并开展交叉参数进行验证。将不同密度的磁流变液分别设置为相同状态下的空气和水,并对初始速度进行对照实验验证。发现了磁流变液的速度、压强和磁流变液的密度这几个工艺参数之间的相互作用机制与内在联系。
    • 杨航; 张帅; 张云飞; 黄文; 何建国
    • 摘要: 针对抛光粉沉降特性数值计算这一超大规模非线性问题,基于Kahan线性化解决了超大规模流固耦合计算问题。研究了以羟基铁粉和硅油为主要成分组合而成的抛光粉多相流在梯度磁场下抛光区域的沉降特性。以质量分数70%、粒径5μm的羟基铁粉和粘度为0.973 Pa·s的硅油组合而成的抛光粉为研究对象,实现了不同的抛光轮转速、不同嵌入深度以及不同羰基铁粉质量分数情况下的沉降规律分析。结果发现:磁流变抛光区域的抛光粉会随着抛光轮转速的增大而增多;当到达出口时,抛光粉的分布趋于稳定状态;抛光粉会随着嵌入深度的增加而增多并存在饱和区;羟基铁粉的质量分数以非线性的方式影响沉降能力。
    • 阎秋生; 蔡志航; 潘继生; 黄蓓; 曾自勤
    • 摘要: 为提高光电晶片的磁流变抛光效率并实现其超光滑平坦化加工,提出其磁流变变间隙动压平坦化加工方法,研究不同变间隙条件下蓝宝石晶片的材料去除率和表面粗糙度随加工时间的变化,并分析磁流变变间隙动压平坦化加工机理。结果表明:通过蓝宝石晶片对磁流变抛光液施加轴向低频挤压振动,其抛光压力动态变化且磁流变液产生挤压强化效应,使抛光效率与抛光效果显著提升。在工件下压速度为1.0 mm/s,拉升速度为3.5 mm/s,挤压振动幅值为1 mm条件下磁流变变间隙动压平坦化抛光120 min后,蓝宝石晶片的表面粗糙度Ra由6.22 nm下降为0.31 nm,材料去除率为5.52 nm/min,相较于恒定间隙磁流变抛光,其表面粗糙度降低66%,材料去除率提高55%。改变变间隙运动速度可以调控磁流变液的流场特性,且合适的工件下压速度和工件拉升速度有利于提高工件的抛光效率和表面质量。
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