电子输运

摘要： 优质的热电材料要求具有“声子玻璃、电子晶体”特性,因此,基于第一性原理计算,提出在二元MX_(n)半导体层状材料中筛选具有上述特性材料的方法。因层间为范德华作用力,层状材料中面外方向的晶格热导率都非常低,是良好的“声子玻璃”材料。而面外方向的电子输运能力与M元素和原子距离相关。M为主族元素时(例如SnSe),因非局域的p_(z)轨道和较小的原子层间距离(小于4Å)使电子具有良好的层间输运性能。当M为过渡金属元素时(例如MoS_(2)),局域的d轨道和较大的阳离子层间距(大于6Å)使得电子无法在层间传输。通过阳离子M的层间距离大小和类型(主族元素还是过渡金属)可以对层状材料面外方向的热电性质进行判断,为筛选出有潜力的高ZT热电材料提供理论指导。

摘要： 利用不同宽度的锯齿型黑磷烯纳米带构建了非对称结构的纳米器件.第一性原理计算结果表明,非对称结构器件Ⅰ-Ⅴ曲线展现表现出整流效应,最大整流比达到1.01×10^(6).器件的不同非对称结构导致了不同整流行为.我们通过传输谱和透射本征态讨论得到,器件中心区域和电极的耦合变化导致了本征态的变化,从而产生不同的电子输运性质.结果为基于黑磷烯二维材料异质结整流器件的设计提供了一种可行性方案.

摘要： 为了研究侧链对多苯环芴基分子电导的影响,我们采用扫描隧道显微镜裂结(STM-BJ)技术对分子骨架相同但侧链不同的一系列芴基分子的单分子电导进行测量,同时利用循环伏安法(CV)和密度泛函理论(DFT)计算对分子进行表征.研究表明,3种分子均产生高低不同的两类电导值,其中它们的低电导基本一致,而高电导之间产生明显的差别.高电导的差别可能是分子侧链产生的空间位阻阻碍了分子骨架上的电荷传导,进而使分子结电导减小.本研究有助加深对分子侧链影响单分子结电导的理解.

摘要： 本文建立了铁磁条和硬势垒共同调制下的石墨烯纳米结构模型,计算了铁磁条产生的磁场的大小和铁磁条的宽度对石墨烯中谷依赖的电子输运性质的影响,重点研究了该石墨烯纳米结构中电子的电导和谷极化特征.数值计算结果表明,该纳米结构中可实现显著的谷极化效应,且磁场的大小和铁磁条的宽度均会对其中的电子电导和谷极化产生较大的影响.因此,我们可以通过控制铁磁条的宽度和其产生的磁场的大小来获得实际需要的谷极化强度.这项研究有助于理解和设计谷电子学设备.

摘要： 运用密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,研究电极区N掺杂对扶手椅型石墨烯纳米带电子输运特性的影响.结果表明,与本征扶手椅型石墨烯纳米带电流-电压曲线相比,宽度为7的石墨烯纳米带电流-电压曲线表现出明显的不对称性,其中心N掺杂表现强烈的整流特性,整流系数达到102数量级,且将N原子从电极区中心位置移动到边缘,整流特性减弱.研究结果表明宽度为7的扶手椅型石墨烯纳米带出现强整流现象的原因主要是负向偏压下能量窗内没有透射峰引起的,该研究结果对将来石墨烯整流器件的设计具有重要的意义.

摘要： 一维非共轭烷烃链虽不具富电子或少电子特征,但常存在于单分子器件或多肽、蛋白质等生物分子中,对电子传输产生重要影响.为理解这类物质的电子输运特征,本研究设计了一维线性非共轭(CH2)n分子结模型,并利用密度泛函理论结合非平衡态格林函数的方法,对(CH2)n(n=1—12)线性分子链与两个石墨烯电极耦合而成的分子结进行了第一性原理计算.结果表明,CH2分子链随着n值的变化,其电导值表现出明显的奇偶振荡现象,并且随着链长的增加呈指数级的衰减,这一结果与实验研究取得了很好的一致性,为理解和设计性能更加优良的单分子器件提供了重要理论依据.

摘要： 以石墨烯为代表的二维六角晶体材料是凝聚态物理和材料物理的研究热点.随着对二维材料的深入研究,Dirac电子的能谷自由度引起了人们极大的关注.类似于自旋电子学,可以利用谷自由度作为信息载体设计新颖的纳米电子器件,即谷电子学.本文首先介绍了石墨烯和硅烯基本的电子性质,然后介绍了谷电子学方面的研究进展.重点回顾并讨论了由磁场、电场、应力场和交换场等构建的几类超晶格外场对Dirac电子能谷和自旋相关物理特性的影响规律.最后是对谷电子性质相关研究的总结和展望.

摘要： 研究了磁场及无序杂质存在条件下,边缘势效应对磁场下二维无序杂质系统中的电子输运性质的影响.边缘势越小,电子输运通道越容易打开,电导“台阶”越易向能量小的区域平移;边缘势较大,电子需要较大的费米能才能打开一个量子通道,电导“台阶”越向右平移;边缘势一大一小时,“台阶”有先左后右的平移趋势.系统电导随着磁场的变化表现出周期性振荡行为,系统电导的极值也随边缘势的变大而减小.受杂质散射的影响,系统电导随无序杂质质量百分数的增大而减小.

摘要： 为了加速对介观体系输运性质的模拟,运用神经网络预测介观无序体系的电导,考察了杂质能量在一定范围内随机取值的全杂质模型(模型I)和杂质能量固定、位置随机分布、浓度可变的模型(模型Ⅱ).结果发现:用神经网络预测模型Ⅰ的线性响应电导,在输运体系尺寸较小时,平均绝对误差(EMA)≈0.1(2 e2/h);逐渐增大输运体系的尺寸,即使增加训练数据量,由于受普适电导涨落的影响,EMA也会逐渐增大以致预测失败.对于模型Ⅱ,即使在尺寸较大时,电导预测值的EMA≈0.2(2e2/h);如果对固定偏压下的平均电导进行预测,则EMA迅速下降到EMA≈0.1(2 e2/h).表明本文的模型能够快速准确地预测介观输运体系在多大杂质浓度下发生金属→绝缘体的转变.

摘要： 通过杂化密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,计算了不同电极结构的Au-As-Au和Au-AsSb-Au扩展分子的电子输运性质.结果表明,在两种Au-As-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通,并在0.5 V时达到较宽的3.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在0.4 V之前几乎没有电流,之后缓慢增加并在1.5 V达到与类型Ⅰ相同的饱和电流.这说明不同的电极接触方式改变了砷烯扩展分子的分子轨道性质,但是并未改变它们的最大电流导通能力.在两种Au-AsSb-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通并在0.5 V时达到较宽的1.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在1.0 V之前电流增加缓慢,之后迅速增加并在1.25 V达到1.0 nA饱和电流.对比发现,类型Ⅰ扩展分子容易导通且具有较宽的电流平台值;类型Ⅱ扩展分子不易导通,之后会达到一个较窄的电流平台值,这使砷类分子器件具备了更丰富的电子输运性质,从而在电路中满足稳恒输出、阈值开关、线性响应的不同要求.

摘要： 本文对托卡马克等离子体中内部磁扰动进行了研究。文章认为，用逃逸电子输运未确定内部磁扰动水平的有效性与可靠性,可得到逃逸电子扩散系数的径向近似分布和内部磁扰动的径向分布。

摘要： 为提升PHEN(the transportation program of Photon,Hadron,Electron and Neutron)对电子输运模拟的处理能力,根据厚靶轫致辐射(thick-target bremsstrahlung,TTB)模型,在PHEN中加入了自编的TTB模块,分析了加入TTB模块后PHEN的模拟计算速度、TTB模块生成的轫致辐射光子能量及TTB模块模拟电子输运的适用范围.通过与MCNP中轫致辐射截面及电子射程的对比,验证了TTB模块模拟电子输运的正确性.计算了加入TTB模块前后正电子湮没峰计数的变化情况,该结果可用于判断使用TTB模块模拟的合理性.计算结果表明:当材料尺寸小于电子在材料中的射程时,TTB模型不考虑电子输运的计算结果是不合理的,应采用压缩历史算法处理电子输运;当材料尺寸大于电子在材料中的射程时,TTB模型计算速度快,计算结果与压缩历史算法的计算结果吻合较好,可用厚靶轫致辐射处理电子输运.

摘要： 本报告以石墨烯、硫化钼两种材料为例，讨论低维半导体材料在纳米电子器件及新概念器件中的应用、存在的问题以及最新进展。本文用化学超声、展开碳管以及物理刻蚀等多种方法合成了20纳米以下石墨烯纳米带。基于这类石墨烯纳米带，在液氮温度下实现了高质量的量子点和量子线。上述两种化学方法的局限性在于无法实现器件的大面积集成，因此，利用自上而下的物理刻蚀方法，制造石墨烯纳米带阵列，实现了开关比大于104的单根纳米带器件以及开关比大于50的纳米带阵列器件，展现了石墨烯在纳米电子器件中的应用前景。与石墨烯不同，硫化钼是二维的半导体材料。理论预测在器件尺寸缩小的极限，硫化钼器件的性能将超越硅器件。目前硫化钼器件的瓶颈在于较低的载流子迁移率。本文发现硫化钼器件性能受到环境因素的影响，在空气中，氧气与水的物理/化学吸附会大幅度降低器件的电流密度与载流子迁移率，而通过简单的真空退火可以将硫化钼器件的电流提高50-100倍。报告还将简要讨论金属电极接触对硫化钼器件的影响。

摘要： 本文将电子输运的直接模拟方法和压缩历史方法相结合，建立了能量为50ev～1GeV范围的电子在介质中的输运的混合模拟蒙特卡罗方法。该方法通过调整散射角参数和损失能量参数来控制单次碰撞发生的次数，输运过程中单次碰撞采用直接模拟，在两次直接碰撞之间使用压缩历史方法模拟发生的多次小碰撞过程。利用该方法模拟了电子在固体表面的背散射过程，探讨了不同计算参数对计算效率和结果的影响，计算了不同能量电子在固体表面的背散射系数和出射电子能量分布，计算结果与实验数据符合较好。

摘要： 随着电子器件向小型化发展，由各个独立原子组成的离散量子结构越来越受到人们的关注，其中典型的结构是由一系列量子点组成的线或环，常被称为量子点序列。人们对量子点序列中电子输运性质的研究已经有很多，比如Xu利用实空间格点模型研究了多端量子点序列中的电子输运，但是对量子点序列中自旋相关的输运研究还很少，Wang等人研究了通过在终端量子点中加上磁场的办法来调节T型量子点序列的自旋过滤效应，但是在真正的实验中很难将强磁场加到像量子点如此小的区域上。本研究建立了模型：将量子点序列嵌入到AB干涉仪的一臂中，另一臂上存在自旋轨道耦合，环中具有磁通，利用非平衡格林函数方法计算了此结构的自旋过滤效应和量子点中的自旋积累，这样的量子结构更有利于实验上的实现。

摘要： 本文论述了石墨烯非凡的物理及电学性质，包括电子输运-零质量的狄拉克-费米子行为，量子霍耳效应，最小量子电导率，量子干涉效应的强烈抑制等；石墨烯的机械和化学制备方法和石墨烯在在纳电子器件方面、计算机芯片取代硅、制造最快的碳晶体管、减少噪声方面和潜在的储氢材料领域等方面的应用。

摘要： 本文制备了以导电聚苯胺为空穴传输材料的固态染料敏化纳米薄膜太阳电池.利用强度调制光电流谱(IMPS)和强度调制光电压谱(IMVS)研究了TiO2多孔膜内的电子输运及背反应,结果表明严重的电子-空穴复合是制约这类固态电池性能的重要因素.

摘要： PERC电池结器件结构的设计，对电子和空穴的输运有着显著影响,合理的电池结构设计，可以有效地提升效率，并降低工艺成本,PERC电池效率的持续提升，需要降低电阻损失、光学损失和复合损失，其中来自前表面的复合损失占据的比重，超过了背表面,PERC电池效率超过23.5%指日可待.

摘要： PERC电池结器件结构的设计，对电子和空穴的输运有着显著影响,合理的电池结构设计，可以有效地提升效率，并降低工艺成本,PERC电池效率的持续提升，需要降低电阻损失、光学损失和复合损失，其中来自前表面的复合损失占据的比重，超过了背表面,PERC电池效率超过23.5%指日可待.

摘要： PERC电池结器件结构的设计，对电子和空穴的输运有着显著影响,合理的电池结构设计，可以有效地提升效率，并降低工艺成本,PERC电池效率的持续提升，需要降低电阻损失、光学损失和复合损失，其中来自前表面的复合损失占据的比重，超过了背表面,PERC电池效率超过23.5%指日可待.

摘要： 本发明提供有一种利用电子全息技术探究界面电势对锂离子输运影响的方法，锂离子在固体电极内的微观输运过程是决定锂离子电池宏观电化学行为的直接因素，目前常用的中子衍射、核磁共振等方法受限于分辨率的影响，仅能提供材料的平均结构信息，本发明方法将分辨率提高至原子水平，利用物镜球差校正透射电子显微镜与电子全息技术相结合，对锂离子电池正极材料多晶晶界的电势分布进行准确测量，依次经历电子全息图获取、数字重构提取分离的相位图与振幅图、进一步数据处理得到相移与电势分布相关的图像几个步骤，从而得到界面电势差和势垒分布的统计结果，进一步揭示锂离子传输机制的动力学问题，对锂离子电池结构‑性能关系的构筑有重要的研究意义。

摘要： 本发明提出了一种中子输运加速方法、电子设备和计算机可读存储介质，该方法包括：基于中子输运方程的初始参数集合，建立与所述初始中子输运方程等价的多群gCMFD方程；在空间维度通过所述多群gCMFD方程对所述中子输运方程进行迭代加速处理，直至迭代至满足第一收敛条件，建立等价单群gCMFD方式方程；以及在能量维度通过所述单群gCMFD方程对所述多群gCMFD方程进行迭代加速处理，直至迭代至满足第二收敛条件。本发明的技术方案，严格保证了多群gCMFD方程与中子输运方程、单群gCMFD方程与多群gCMFD方程之间的等价性与加速计算的稳定性，可以更快的加速中子输运计算，提高整体计算效率。

摘要： 本申请公开了一种用于弥散硼颗粒的输运等效方法、电子设备和存储介质，具体为：根据燃料芯体中颗粒的球形特征，建立若干不同类型的颗粒类型模型，循环所有能群的所有颗粒类型模型，计算每一能群的通量不利因子，根据所述通量不利因子修正微观输运截面，计算堆芯基体内多群宏观输运截面，求解多群玻尔兹曼中子输运方程，得到基体的多群中子通量，更新吸收反应率，对每一颗粒类型模型执行燃耗计算，得到下一时刻颗粒内的核子密度。本申请方案，在原有输运模块执行之前增加2个独立步骤，在燃耗模块计算之前增加1个步骤，整体上对程序的修改较少。本申请方案具有较高的计算精度，能够有效刻画硼颗粒的自屏效应。

摘要： 本发明公开了一种带有防护结构的电子雾化器生产用输运装置，具体涉及输送装置技术领域，包括落料机构和运输机构，所述运输机构设置在落料机构的一侧，所述运输机构的两侧均设置有T形架，所述T形架的外表面一侧与落料机构的外表面一侧固定连接，所述T形架的顶部设置有传动结构。本发明通过设置防护装置，通过各部件的作用可以带动第一防护板向下运动，且第二防护板可以调节位置，可以避免物品从运输机构上滑落，在第一防护板和第二防护板的共同作用下，使得物料运输过程中可以被防护，避免滑落，在第三液压电机和第三螺纹杆的作用下，使得清洁刷可以与运输机构的外表面贴合，此时再启动运输机构，方便对其外表面进行清洁。

摘要： 本实用新型公开了一种辐照电子加速器束下输运线防护结构，包括束流中心下方输运线辊子防护结构、迷道内输运线动力电机防护结构。其中束流中心下方输运线辊子防护结构通过在辊子的动力侧及从动侧安装大于辐照束流区域的水冷防护板，起到吸收照射到非货物面的束流能量，并通过冷却水将能量带走，维护束下输运线温度稳定，避免烧伤货物，延长辊子及其轴承的使用寿命；将束流中心相邻的两根辊子设计为中心距较小、中空的水冷辊子，保证束流中心相邻最近的两根辊子温度维持在安全范围内，避免烧毁货物并避免卡货。

摘要： 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法，方法包括以下步骤：选取IV族元素和V族元素，构建二维半导体理想模型；计算理想模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型；计算各缺陷模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质，选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计，使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性，提高了最优方案的精确度。

摘要： 本发明公开了一种无电子输运层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池器件的制备技术领域，具体制备过程包括制备n型半导体纳米颗粒掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层、制备PMMA钝化层及制备无电子输运层钙钛矿太阳能电池等步骤。本发明所提供的方法简单易行，制备的样品具有较高的光电转换效率，同时可以大大提高钙钛矿太阳能电池的稳定性，稳定性的解决有助于钙钛矿太阳能电池的规模化应用。

摘要： 本发明涉及电子输运模拟技术领域，尤其涉及一种电子输运耦合模拟方法、系统、存储介质和电子设备，方法包括：基于待模拟电子输运问题，利用蒙特卡罗方法，建立包括物理信息和几何信息的模拟模型；在模拟模型中，预设多个计数，根据每个计数的能量范围，将模拟模型划分为第一区域和第二区域；基于第一区域和第二区域，利用蒙特卡罗方法并结合输运方程对模拟模型中的每个电子的输运过程进行模拟，计算得到每个电子的解。根据模拟模型中的每个计数的能量范围，将模拟模型划分为第一区域和第二区域，并结合蒙特卡罗方法和输运方程对模拟模型中的每个电子的输运过程进行模拟，在保证模拟精度的同时，还能够有效减少模拟时间，提高模拟效率。

摘要： 本发明公开了一种无电子输运层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池器件的制备技术领域，具体制备过程包括制备n型半导体纳米颗粒掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层、制备PMMA钝化层及制备无电子输运层钙钛矿太阳能电池等步骤。本发明所提供的方法简单易行，制备的样品具有较高的光电转换效率，同时可以大大提高钙钛矿太阳能电池的稳定性，稳定性的解决有助于钙钛矿太阳能电池的规模化应用。

摘要： 本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法，方法包括以下步骤：选取IV族元素和V族元素，构建二维半导体理想模型；计算理想模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型；计算各缺陷模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质，选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计，使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性，提高了最优方案的精确度。