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Process of exactly patterning layer to target configuration by using photo-resist mask formed with dummy pattern

机译:通过使用形成有虚构图案的光刻胶掩模将层精确图案化为目标配置的过程

摘要

Tension takes place in a surface of a photo-resist mask due to a shrinkage in a post-development bake, and a recess formed in the photo- resist mask takes up the tension so as to maintain the adhesion to a semiconductor substrate and prevent a resist pattern from undesirable deformation.
机译:由于显影后烘烤中的收缩,在光致抗蚀剂掩模的表面中发生张力,并且在光致抗蚀剂掩模中形成的凹部吸收了该张力,从而保持了对半导体基板的粘附力并防止了光阻。防止图案发生不良变形。

著录项

  • 公开/公告号US5763143A

    专利类型

  • 公开/公告日1998-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEC CORPORATION;

    申请/专利号US19950571535

  • 发明设计人 NAOKI SAKURA;

    申请日1995-12-13

  • 分类号G03C5/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 02:39:23

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