要解决的问题:提供一种满足相对密度,绝缘电阻和导热性要求的低温烧成氧化物陶瓷材料。
解决方案:低温烧成氧化物陶瓷材料的制造方法包括如下步骤:称量规定量的由氧化铝组成的主要成分和至少由氧化铌,氧化钛,氧化铜和银组成的辅助成分。氧化物,上述步骤之后的将主要成分和辅助成分混合的步骤,上述步骤之后的将浆料成型为片状的步骤,上述步骤之后的成型加工的步骤以及烧成步骤,在使用CuK射线的X射线衍射测定法中,氧化物铝的结晶相的衍射峰强度为2 = 33.900.10,氧化物铝的刚玉结晶相的(104)面的衍射峰强度为0.05〜0.40。然后,将陶瓷材料在860至880℃下烧制,以产生由氧化铌,氧化钛和氧化铜组成的复合氧化物。
版权:(C)2006,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2006151775A
专利类型
公开/公告日2006-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD;
申请/专利号JP20040348085
申请日2004-12-01
分类号C04B35/111;H05K3/46;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:56:20