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机译:GA-EDTA络合物的硝化合成和表征氮化镓
公开/公告号IN2011CH01460A
专利类型
公开/公告日2011-05-13
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号IN1460/CHE/2011
发明设计人
申请日2011-04-27
分类号
国家 IN
入库时间 2022-08-21 18:05:39
机译: 通过氮化手段转化砷化镓来获得氮化镓膜的方法。
机译: 氧化镓单晶络合物及其制造方式,以及使用该氧化镓的氮化物半导体膜的制造方式为零氧化镓
机译: 氮化镓/氮化铝镓半导体器件及制造氮化镓/氮化铝镓半导体器件的方法