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SYSTEMS AND METHODS FOR HANDLING NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY STRESS IN MEMORY BITCELLS

机译:处理内存双电池负偏温度不稳定性应力的系统和方法

摘要

A system and method reduce stress caused by NBTI effects by determining if a trigger event has occurred and if so inverting all input data values to the memory and all output data values from the memory during a period of time defined by the determined trigger event. In one embodiment, the trigger event is an alternate memory power-up.
机译:一种系统和方法,通过确定触发事件是否发生以及在确定的触发事件所定义的时间段内将所有输入数据值和存储器中的所有输出数据值反转,来减少由NBTI效应引起的压力。在一个实施例中,触发事件是另一存储器加电。

著录项

  • 公开/公告号EP2329495A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QUALCOMM INCORPORATED;

    申请/专利号EP20090791581

  • 发明设计人 CHABA RITU;ZHONG CHENG;CHEN NAN;

    申请日2009-08-17

  • 分类号G11C7/10;G11C7/20;G11C7/22;G11C11/417;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 17:54:18

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