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在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法

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本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的Ge_xSi_1-x应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge薄膜层，接着在上述Ge/Ge_xSi_1-x/Si模板上，外延生长形成包括底部Ge子电池、中部GaAs子电池和顶部InGaP子电池的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池。本发明用低价格的Si衬底取代了传统生长方法所必需使用的昂贵的Ge衬底，进行高效太阳能电池的生长；同时在Si衬底可以生长出更大面积、低缺陷密度的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池，大大降低了InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池的生产成本。

著录项

公开/公告号CN101859814B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-04

原文格式PDF
申请/专利权人华中科技大学;
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申请/专利号CN201010189112.8
发明设计人吴志浩;宋明辉;陈长清;方妍妍;戴江南;余晨辉;熊晖;
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申请日2010-06-02
分类号H01L31/18(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人李智
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-08-23 09:10:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-07-30

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20120704 终止日期:20130602 申请日:20100602

专利权的终止
2012-07-04

授权

授权
2010-11-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20100602

实质审查的生效
2010-10-13

公开

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