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制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法

摘要

一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法,该方法包括:步骤1:在衬底上,溅射一层缓冲层;步骤2:在缓冲层上溅射一层取向诱导层;步骤3:利用浸涂或者旋涂的方法,在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列;步骤4:在磁性纳米颗粒阵列上溅射一层盖层,形成基片;步骤5:对基片进行退火处理,完成磁记录介质的制备。

著录项

  • 公开/公告号CN102097106B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201010597849.3

  • 申请日2010-12-21

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-02-19

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B 5/851 授权公告日:20120530 终止日期:20121221 申请日:20101221

    专利权的终止

  • 2012-05-30

    授权

    授权

  • 2011-08-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/851 申请日:20101221

    实质审查的生效

  • 2011-06-15

    公开

    公开

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