首页> 中国专利> 制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法

制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法

摘要

一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶-凝胶操作的反应基团的化合物,引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的,从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。

著录项

  • 公开/公告号CN101200633B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200810002850.X

  • 发明设计人 林珍亨;张银珠;安泰琼;

    申请日2004-06-28

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人金拟粲

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-23

    授权

    授权

  • 2008-08-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-06-18

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号