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公开/公告号CN101200633B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-23
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200810002850.X
发明设计人 林珍亨;张银珠;安泰琼;
申请日2004-06-28
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人金拟粲
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:09:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-05-23
授权
2008-08-13
实质审查的生效
2008-06-18
公开
机译: 制造用于发光器件的量子点硅酸盐层的方法,以通过替换包括预定点的具有溶胶-凝胶反应性基团和形成薄膜的材料的基质表面来增加薄膜中的量子点的密度
机译: 含硅分子簇的硅量子点薄膜的制备方法
机译: 含硅分子团的硅量子点薄膜的制备方法
机译:通过低温原子层沉积制备的用于封装有机电致发光器件的氧化铝薄膜的方法
机译:用于电致发光器件的CdSe / ZnS量子点薄膜的电喷雾沉积工艺
机译:使用电喷雾方法制备用于白光发光二极管的晶圆级自支撑量子点/聚合物纳米复合薄膜
机译:基于多孔硅的电致发光器件的金属薄膜的制备与表征
机译:含硅化合物的化学和基于硅的微电子材料的分子方法。制备金属甲硅烷基络合物,研究亚烷基与硅烷之间的反应以及氧化钛薄膜的沉积。
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:从氮化硅薄膜中的硅量子点的增强的电致发光,耦合在发光器件中的金纳米粒子中
机译:用于研究薄膜/硅界面界面蠕变的样品制备和实验设计