原子层沉积方法在硅微环与波导结构上制备的铒掺杂氧化铝电致发光器件

摘要

光互联芯片由于其高带宽、低延迟、抗干扰能力强等优点,已成为当前硅基光电子领域的重要研究方向.目前硅基激光器的实现主要采用在硅上键合Ⅲ-Ⅴ族激光器的方法.利用FDTD（时域有限差分）方法对微环谐振腔设计进行仿真，对单环、并／串联双环、跑道环四种结构的参数进行仿真优化，设置耦合区宽度为100nm，波导脊宽为2.5μm。仿真结果如图1所示，在波长1530nm附近，四种结构均可产生较强的谐振峰，谐振腔品质因数均达到200以上；其中串联双环结构的品质因数达到1281.43，具有较好的谐振特性。