具有双缓变结的Si-Ge-Si半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种具有双缓变结的Si-Ge-Si半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的过渡层或绝缘层；形成在所述过渡层或绝缘层之上的应变SiGe层，其中，所述应变SiGe层中心部分的Ge组分最高，上下两个表面处的Ge组分最低，所述中心部分至所述上下两个表面的Ge组分呈渐变分布。本发明使用缓变结来代替突变结，从而形成三角形的空穴势阱，这样不仅能够使空穴载流子大部分分布于高Ge材料层中，还能够降低界面散射引起的载流子迁移率下降的问题，进一步改善器件性能。