用于功率金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路的递减电压多晶硅二极管静电放电电路

摘要

本发明揭示一种用于功率MOSFET的静电放电(ESD)保护网络，其包含含有多晶硅齐纳二极管及电阻器的并联分支，所述保护网络用于保护栅极免遭由ESD引起的高电压所引起的爆裂。所述分支可具有供电压跨越栅极区行进到半导体衬底中的同一或独立路径。具体来说，次级分支具有比初级分支高的击穿电压，使得跨越所述保护网络的两个分支来共享所述电压。装置的ESD保护网络在不增加裸片上所使用空间的情况下提供更有效的设计。所述ESD保护网络也可与其它有源及无源装置(例如晶闸管、绝缘栅极双极晶体管及双极结晶体管)一起使用。