混合光学与电子束光刻制造层级的共对准的高原子量结构及方法

摘要

一种方法，将集成电路芯片的制造层级的第一组特征对准电子束对准目标并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层级的第二组特征对准光学对准目标并使用光学光刻来形成第二组特征，电子束对准目标包括形成于基板中的高原子量层，光学对准目标形成于基板中，光学对准目标本身对准电子束对准目标。还提供一种电子束对准目标的形成方法及结构。