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一种在透射电子显微镜中原位测量纳电子器件性质的样品台系统

摘要

本发明公开了一种在透射电子显微镜中原位测量纳电子器件性质的样品台系统,包括主要由半导体芯片和芯片载台组成的样品台前端头、中空的样品杆、以及设置在样品杆末端的绝缘穿通。其中,半导体芯片上的电极由经过中空样品杆的导线电连接到所述绝缘穿通的外连接导线上,并进一步连接到外接分析测试仪器上,从而可以对纳电子器件的性质进行研究。精确的尺寸设计保证TEM电子束能依次正常通过半导体芯片的狭缝和芯片载台的通孔,并聚焦在芯片狭缝上表面的纳电子器件上,从而可以直接对纳电子器件的微观结构进行表征。这样在TEM中实现了对纳电子器件的性质和微观结构的原位研究。

著录项

  • 公开/公告号CN101275895B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN200810055675.0

  • 发明设计人 刘开辉;白雪冬;王恩哥;

    申请日2008-01-04

  • 分类号

  • 代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人尹振启

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 13/10 授权公告日:20100929 终止日期:20110104 申请日:20080104

    专利权的终止

  • 2010-09-29

    授权

    授权

  • 2008-11-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-01

    公开

    公开

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