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制造碳纳米管的聚集体与薄膜、电子元件、破坏碳纳米管以及碳纳米管的选择性反应的方法

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这里公开了一种非常容易、彻底地破坏金属性碳纳米管的方法。所述方法包括：以能量束(例如激光)照射半导电碳纳米管和金属性碳纳米管地混合体，由此有选择地破坏金属性碳纳米管或半导电碳纳米管。其中，所述能量束具有被金属性碳纳米管或半导电碳纳米管谐振吸收的能量成分。

著录项

公开/公告号CN1903715B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-16

原文格式PDF
申请/专利权人索尼株式会社;
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申请/专利号CN200610108111.X
发明设计人黄厚金;
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申请日2006-07-27
分类号C01B31/02(20060101);B82B3/00(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:04:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-09-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 31/02 授权公告日:20100616 终止日期:20130727 申请日:20060727

专利权的终止
2010-06-16

授权

授权
2007-03-28

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-01-31

公开

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