机译:金属碳纳米管的击穿方法,半导电碳纳米管的凝结和成膜的生产方法,半导电碳纳米管的击穿方法,金属碳纳米管的凝结和薄膜的制造方法,电子生产的制造方法碳纳米管聚集体以及金属和半导电碳纳米管的选择性反应方法
要解决的问题:提供一种能够通过简单容易的方法选择性,可靠地分解金属或半导体碳纳米管的方法。
解决方案:通过用诸如激光束的能量束5照射其混合物,来选择性地分解半导体碳纳米管2或金属碳纳米管3。分解方法使用具有被金属或半导体碳纳米管3或2共振吸收的能量分量的能量束以分解。
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007031239A
专利类型
公开/公告日2007-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 SONY CORP;
申请/专利号JP20050219846
发明设计人 KO KOKIN;
申请日2005-07-29
分类号C01B31/02;H01L29/786;B82B3;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:10:21