浅沟槽隔离区、浅沟槽隔离区掩膜版及浅沟槽隔离区制造方法

摘要

一种浅沟槽隔离区，位于半导体衬底上的相邻有源区之间，所述浅沟槽隔离区内包含至少两个浅沟槽，各所述浅沟槽间隔分布于所述浅沟槽隔离区内。各所述浅沟槽均匀分布于所述浅沟槽隔离区内；或者，各所述浅沟槽非均匀分布于所述浅沟槽隔离区内；各所述浅沟槽的尺寸相同；或者，各所述浅沟槽的尺寸不同。相应地，本发明还提供了一种浅沟槽隔离区掩膜版和一种浅沟槽隔离区的制造方法。可在相同尺寸的浅沟槽隔离区内，减少浅沟槽隔离区表面研磨凹陷的产生。