...
机译:通过在浅沟槽隔离的Si(001)沟槽中进行选择性外延生长来制造高质量的Ge虚拟衬底
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium Department of MTM, ' K.U. Leuven' Kasteelpark Arenberg 44 - bus 2450, 3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium Instituut voor Kern- en Stralingsfysica, K. U. Leuven, Celestijnenlaan 200D B-3001 Leuven, Belgium Department of Crystalline Materials Science, Nagoya University, Fro-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium Instituut voor Kern- en Stralingsfysica, K. U. Leuven, Celestijnenlaan 200D B-3001 Leuven, Belgium;
TSMC assignee of IMEC, Kapeldreef 75, 3002, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium Instituut voor Kern- en Stralingsfysica, K. U. Leuven, Celestijnenlaan 200D B-3001 Leuven, Belgium;
Department of MTM, ' K.U. Leuven' Kasteelpark Arenberg 44 - bus 2450, 3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001, Leuven, Belgium Department of MTM, ' K.U. Leuven' Kasteelpark Arenberg 44 - bus 2450, 3001 Leuven, Belgium;
Ge; epitaxy; shallow trench isolation; threading dislocation density; virtual substrates;
机译:利用MOVPE在Si(001)衬底上的亚微米浅沟槽隔离沟槽内选择性外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的生长速率:建模和实验
机译:Si(001)和毯状Si(001)衬底上SiO_2沟槽中选择性Ge生长的比较:表面粗糙度和掺杂
机译:通过MOCVD在Si(001)衬底上定义的狭窄浅沟槽隔离内生长的高质量晶体Ge
机译:浅沟槽隔离晶晶体中锗的选择性外延生长:GE虚拟基板的方法
机译:在锗(001)衬底上生长外延锗(1-y)碳(y)层期间的碳结合。
机译:集成选择性外延生长和选择性湿法刻蚀制造高质量和应变松弛的GeSn微盘
机译:离轴Si(001)衬底上浅沟槽隔离结构中InP的选择性区域生长
机译:Gaas(001)和alas(001)衬底上si层的外延生长和界面参数