公开/公告号CN100576467C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-12-30
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申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN200710139296.5
发明设计人 冯志红;
申请日2007-08-28
分类号H01L21/335(20060101);H01L21/205(20060101);
代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;
代理人张明月
地址 050051 河北省石家庄市179信箱38分箱
入库时间 2022-08-23 09:03:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-10-20
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 合同备案号:2010130000062 让与人:中国电子科技集团公司第十三研究所 受让人:同辉电子科技股份有限公司 发明名称:利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法 公开日:20080130 授权公告日:20091230 许可种类:独占许可 备案日期:20100825 申请日:20070828
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2009-12-30
授权
授权
2008-03-19
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-01-30
公开
公开
机译: 制备III族氮化物半导体晶体的方法,制备氮化镓基化合物半导体的方法,氮化镓基化合物半导体,氮化镓基化合物半导体发光器件以及使用该半导体光的光源
机译: 等电共掺杂方法,用于获得高导电率的p型氮化镓,氮化铝和氮化铟半导体
机译: 当氧掺杂方法和氧氮化镓晶体时,n型氮化镓单晶基板无效