贯穿位错对铝镓氮/氮化镓光学及电子器件性能的影响

摘要

氮化镓薄膜在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等衬底上的异质生长会不可避免的产生高密度的（贯穿）位错（high-density threading dislocation）。本文首先介绍常见的刃型和螺型位错及其表征手段,随之结合国际上的学术研究案例,展开讨论了位错对于氮化镓基器件（如LED和HEMT）的光学性能（非辐射复合）以及电学性能（电荷散射及陷阱能级）的影响机制。