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半导体光电阴极、以及应用半导体光电阴极的光电管

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摘要

半导体光电阴极(1)具备以GaSb形成的p

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-24

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 1/34 授权公告日:20090708 终止日期:20131106 申请日:20031106

专利权的终止
2009-07-08

授权

授权
2005-09-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-09-08

公开

公开

1. 半导体光电阴极、以及应用半导体光电阴极的光电管 [P] . 中国专利： CN100511554C . 2009.07.08
2. 一种用于测量紫外光电阴极透过率的光电管 [P] . 中国专利： CN104576284B . 2016.10.19
3. Semiconductor photocathode and semiconductor photocathode apparatus using the same [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0810621B1 . 2003-07-09

机译：半导体光电阴极和使用该半导体光电阴极设备的半导体光电阴极设备
4. Semiconductor photocathode and semiconductor photocathode apparatus using the same [P] . 美国专利： US5923045A . 1999-07-13

机译：半导体光电阴极和使用该半导体光电阴极设备的半导体光电阴极设备
5. Semiconductor photocathode and semiconductor photocathode apparatus using the same [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0810621A1 . 1997-12-03

机译：半导体光电阴极和使用该半导体光电阴极设备的半导体光电阴极设备