多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

摘要

本文利用辐射强度指数衰减率和多碱阴极光吸收系数公式，首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度，研究结果表明：当Ｉａ／Ｉｏ大于０．４时，阴极厚度应在１００ｎｍ以上，并且Ｄ随Ｉａ／Ｉｏ上升而增加，高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。并首次从理论上预测了对红外敏感的在可见光范围具有很高响应的三碱阴极的最佳厚度为１２０ｎｍ左右，这与实验结果非常一致。