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改善背面研削时产生硅屑沾污的方法

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本发明公开了一种改善背面研削时产生硅屑沾污的方法，它可以在不增加成本和工艺步骤的情况下，实现对研削沾污起到明显改善作用。它包括：改善在研削前的聚酰亚胺光刻工序，即在聚酰亚胺光刻时，通过精确对准暴光对容易发生硅屑沾污的对准缺口周围区域不进行曝光，以保留该区域的聚酰亚胺。

著录项

公开/公告号CN100474118C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-01

原文格式PDF
申请/专利权人上海华虹NEC电子有限公司;
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申请/专利号CN200610030397.4
发明设计人仓凌盛;施灵峰;
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申请日2006-08-25
分类号G03F7/20(20060101);H01L21/00(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人顾继光
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
入库时间 2022-08-23 09:02:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-01-08

专利权的转移 IPC(主分类):G03F 7/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20131216 申请日:20060825

专利申请权、专利权的转移
2009-04-01

授权

授权
2008-04-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-02-27

公开

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